光刻胶的分类与效果材料.pptVIP

1. 图相转移技术（光刻）的基本知识： 光刻工艺是指将掩膜版上的图形转移到衬底表面光刻胶上的技术--------要求高精度尺寸转移,确定光刻工艺条件,必须以图形尺寸变化量的大小为重要依椐之一. 衍射是影响图形尺寸变化的重要原因。 光源: 汞灯：e线——546nm h线——406nm g线——436nm i线——365nm UV——248nm EB——埃量级 最小特征尺寸：△L＝K1 λ／NA λ（波长），NA（透镜的数值孔径） K1 与工艺参数有关(一般取0.75) *要注意光刻胶所要求的 光源波长;短波长适用于 小尺寸. NA（数值孔径）： 对于一个理想的镜头系统，图像的质量仅仅受到由于NA的大小有限而造成衍射光不能通过镜头。 透镜收集衍射光并把这些衍射光会聚到一点成像的能力用数值孔径来表示。 NA ≈（n）透镜的半径／透镜的焦长 消衍射光学系统:衍射可引起转移尺寸的变化 反转胶: 通过两次光照,用负胶版得到正胶版的图形,解决正胶版难对版的问题,但价格太贵. 光刻设备简介 匀胶机Spinner和Hot plate 微波Plasma去胶机 （Asher and Stripper） 仪器名称：去胶机 制 造 厂：PVA TePla AG 型号规格：Model 300 Plasma System 主要技术指标：·2.45GHz　　　　　　　·0-1000Watt　　　　　　　·2-4 separate gas channel　　　　　　　·process pressure：0.2-2mbar 应用范围：·photo resist stripping　　　　　·surface cleaning　　　　 * * LED光刻及相关工艺技术 光刻工艺中的基本知识 2.光刻工艺中的常用技术 (1).光刻胶的热特性及其重要性 (2).金属剥离技术---Lift-off metal和P.R的厚度比; P.R的断面形状;底层金属的粘付性;溶胶法和蓝膜粘离法;EB设备. (3).半球形胶面的制备及应用 (4).底胶的去除问题 (5).其它 3. 与光刻工艺相关的其它技术 显然, NA越大,λ越短，越可以得到更小的特征尺寸。 分辨率界限内的图象传递 入射到掩膜版上的紫外线 掩膜版 版上图形 光学系统 理想传递 实际传递 晶片位置(任意单位) 入射光强度 图形转移过程 *要选择好合适的光照时间 溶剂 光刻胶 染剂 附加剂 光敏剂 树脂 光刻胶的成分： 光刻胶的类型可分为正性光刻胶、负性光刻胶和反转胶。 光刻胶与掩膜版 负性胶 正性胶 匀胶: 匀胶机Spinner;要控制涂胶量, 实际上转数一定滴胶量不同胶厚不同。边沿偏厚。 外力 光刻胶 晶片 溶剂蒸发 光刻胶旋转i 加热底盘 最终厚度 蒸发后的 溶剂 保留的固态物（固含量或留膜率） 烘胶 : Hot plate—温度梯度不同---烘箱 （影响胶的状态） 曝光方式可分为接触式、接近式和投影式。根据光刻面的 不同有单面对准光刻和双面对准光刻。 曝光: 光刻工艺的曝光方式： 匀胶机 spinner 热板或烘箱 Hot Plate or Oven 光刻机 Aligner 去胶机 Plasma Asher and stripper 仪器名称：匀胶机 制 造 厂：德国Karl Suss型号规格：Delta80T2主要技术指标： ·Gyrset 5”, max. 4,000rpm ·Gyr