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复合电流及PN结V-I特性.ppt.ppt
* 2.3.5、势垒区复合电流 上式中净复合率 R 可近似表为: 势垒区复合电流就是势垒区单位时间内复合掉的总电荷量 于是有: 当外加电压 V 时: 在势垒区中,已知平衡时有: 为简化计算,可假设在势垒区中 n 与 p 相等,且不随 x 而变化。即: 可见: 当 V 0 时,np ni2 ,R 0 , 发生净复合。 当 V 0 时,np ni2 ,R 0 , 发生净产生。 当 V = 0 时: 当 V kT / q 时: PN结正向电流为: 2.3.6 正向伏安特性与导通电压 本小节主要内容:对扩散电流 Jd 与复合电流 Jr 的大小进行比较。并介绍 PN 结导通电压(或pn结开启电压)的概念。 以P+N 结为例,当 V kT / q 时: 当V 比较小时,以 Jr 为主; 当V 比较大时,以 Jd 为主。 EG 越大,则过渡电压值就越高。 对于硅PN 结:当V 0.3V 时,以 Jr 为主;当V 0.45V 时,以 Jd 为主。 当正向电压较小时,以 Jr 为主: 当正向电压较大时,以 Jd 为主时: ( 斜率 = q / 2kT ) ( 斜率 = q / kT ) lnI V Ge Si GaAs 斜率 = q / 2kT ,大注入 斜率 = q / kT 斜率 = q / 2kT 在一般常用的正向电压和温度范围,PN结的正向电流以扩散电流 Jd 为主。这时正向电流可表示为: PN 结正向伏安特性曲线图: V(V) I (mA) 0.2 0.4 0.6 2 4 6 0 0.8 通常将正向电流达到某一规定值(例如几百微安到几毫安)时的正向电压称为 正向导通电压或开启电压,记作VF 。 *
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