应变硅结构的高分辨X射线衍射术及其图谱分析.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 应变硅结构的高分辨X射线衍射术及其图谱分析 马通达1一，屠海令1，邵贝羚2，刘安生2，胡广勇2 1t北京有色金属研究总院，国家半导体材料工程研究中心，北京100088 2．北京有色金属研究总院，国家有色金属及电子材料分析检测中心，北京100088 摘要：本文运用高分辨x射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体 了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异 质外延生长的重要参数。TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息。高分辨率TAD 倒易空间图谱可实现对应变si层应变量的测定。 关键词：TAD，DCD，晶体结构，应变si l引言 将表面平滑且应变弛豫的Sil一，Ge；合金层作为“虚衬底”(virtualsubstrate)，在其 上可以获得使载流子迁移率增加的应变Si层…。符合上述条件的sihGe，“虚衬底”既可 衬底，高温退火可使其绝缘层呈现粘滞性，从而保证失配应变从sihGe，合金层向SOI项 层Si传递，实现SihGe，层低位错密度下的应变弛豫。然而，高温退火容易导致位错生成 和其它相关的退化机制，诸如