CVD工艺原理和设备介绍.pptVIP

Copyright BOE Technology Group Copyright BOE Technology Group 一、PECVD在ARRAY中担当的角色 ARRAY工艺构成 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 二、PECVD基本原理及功能 1. CVD的介绍 一种利用化学反应方式,将反应物(气体)生成固态的产物,并沉积在基片表面的薄膜沉积技术. 如可生成: 导体: W(钨)等; 半导体:Poly-Si(多晶硅), 非晶硅等; 绝缘体(介电材质): SiO2, Si3N4等. 2.PECVD的介绍 为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD). Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. PECVD基本原理及功能 3. PECVD制膜的优点及注意事项 优点： ● 均匀性和重复性好，可大面积成膜； ● 可在较低温度下成膜； ● 台阶覆盖优良； ● 薄膜成分和厚度易于控制； ● 适用范围广，设备简单，易于产业化 注意事项： ● 要求有较高的本底真空； ● 防止交叉污染； ● 原料气体具有腐蚀性、可燃性、爆炸性、易燃 性和毒性，应采取必要的防护措施。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. PECVD基本原理及功能 RF Power :提供能量 真空度(与压力相关) 气体的种类和混合比 温度 Plasma的密度(通过Spacing来调节) 4. PECVD 参数 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. PECVD基本原理及功能 Layer Multi PVX 名称 g-SiNx:H g-SiNx:L a-Si:L a-Si:H n+ a-Si p-SiNx 膜厚 3500±10%? 500±10%? 500±15%? 1300±20%? 500±20%? 2500±10%? 使用气体 SiH4+NH3+N2 SiH4+H2 SiH4+PH3+H2 SiH4+NH3+N2 描述 对Gate信号线进行保护和绝缘的作用 在TFT器件中起到开关作用 减小a-Si层与S/D信号线的电阻 对S/D信号线进行保护 5.PECVD 所做各层膜概要 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. PECVD基本原理及功能 6. 绝缘膜、有源膜成膜机理 SiNX绝缘膜：通过SiH4与NH3混合气体作为反应气体, 辉光放电生成等离子体在衬底上成膜。 a-Si:H有源层膜：SiH4气体在反应室中通过辉光放电，经过一 系列初级、次级反应，生成包括离子、子活性团等较复杂的反应产物，最终生成a-Si:H薄膜沉积在衬底上，其中直接参与薄膜 生长的主要是一些中性产物SiHn（n为0～ 3） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. PECVD基本原理及功能 7. 几种膜的性能要求 (1) a-Si:H 低隙态密度、深能级杂质少、高迁移率、暗态电阻率高 (2) a-SiNx:H i.作为介质层和绝缘层，介电常数适中，耐压能力强，电阻率 高，固定电荷少，稳定性好，含富氮材料，针孔少，厚度均匀 ii.作为钝化层，密度较高，针孔少 (3