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3．8 磁场力 洛仑兹力：运动电荷受到的磁场力dF = dqv?B； 安培力：元电流Idl受到的磁场力dF=Idl?B（即为宏观的洛仑兹力，当q→I，Idl＝dqdl/dt＝dqv）。 借助磁场能量来计算磁场力。 对于恒定磁场，能量平衡方程为 dW = dgWm+Fdg 式中，dW=∑Ikd?k表示电源提供的能量，dgWm为广义坐标变化dg而引起的磁场能量增量，Fdg为在dg方向上，磁场力作的功。 例3-24：计算两线输电线系统中导线所受的作用力。 [解]：（常电流系统）设导体电流为I，导体半径为a，导体轴心距位D。已知其单位长电感为 系统的磁场能量为 作业-恒定电流的磁场问题 3-5、3-8、3-10、3-12 3-13、3-14、3-17、3-18 3-19、3-21(1)、3-22 * 磁化体电流密度 Jm=??M 磁化面电流密度 Km= M?en 2．磁场强度—H 媒质在外磁场作用下发生的磁化效应可归结为磁化电流。因此，总的磁场是在真空中电流源 Jc 和磁化电流 Jm 共同建立的合成磁场 。 定义磁场强度 H 积分形式：一般形式的安培环路定律 磁场强度的引入简化了媒质中磁场的分析计算， 磁导率 实验表明，媒质的磁化强度与磁场强度成正比，即 M=?mH ?m 称为磁化率，可正可负，所以M也是可正可负的。 B=?0 (H + M) = ?0 (1+?m)H ? =(1+?m)?0 = ? r ?0 B=?H ?称为媒质的磁导率，单位是亨/米 (H/m)，?r为相对磁导率。根据媒质的磁化性能，可分为以下三种类型： (1)抗磁性媒质：?m 0，当不存在外磁场时，这类媒质的原子中的合成磁矩为零。在外磁场作用下媒质中合成磁场减弱，如银、铜、铋、锌、铅和汞等属抗磁性媒质。 (2)顺磁性媒质：?m 0，当不存在外磁场时，这类媒质的原子中合成磁矩并不为零，仅因热运动之故，其宏观的合成磁矩为零。在外磁场作用下媒质中合成磁场增强。如铝、锡、镁、钨 、铂和钯等属顺磁性媒质。 (3)铁磁性与亚铁磁性媒质：?m 0，这类媒质在外磁场作用下会发生显著的磁化现象。在外磁场作用下产生显著的磁性，如铁、镍、钴等属这类铁磁性媒质(?r 1)，这种铁磁性媒质的磁性能还存在非线性、磁滞与剩磁现象。另一类称为亚铁磁性媒质，如铁氧体等，其磁化现象稍逊于铁磁媒质，但剩磁小，且电导率很低。 铁磁媒质因其高磁导率的特性，在电磁装置中得到了极其广泛的应用，以满足工程上高磁场能量密度和高磁场强度的应用需求。 铁氧体因其电导率很低，高频电磁波可以进入其中，且具有如高频下涡流损耗小等一些可贵的特性，从而在高频和微波器件中获得广泛的应用。 媒质磁化性能也有均匀与非均匀，线性与非线性，各向同性与各向异性等特点。 对于均匀媒质 Jm=??M = ?? (?mH) = ?m?? H =0 （无源区） 可见，在均匀媒质中束缚电流密度为零，而Km不为零。即在宏观体积表面表现出宏观的磁化束缚电流，但是在体积内部则没有磁化体电流密度。 3 分界面上的衔接条件 1. B 的衔接条件 在媒质分界面上，包围P点作一小扁圆柱， 令 ，则根据 , 可得 B 的法向分量连续 2. H 的衔接条件 H 的切向分量不连续 H 的切向分量连续 当 K = 0 3. 分界面上的折射定律 当两种媒质均匀、各向同性，且分界面无自由电流线密度K，则 折射定律 分界面上 B 的衔接条件 分界面上 H 的衔接条件 在媒质分界面上，包围P点作一矩形回路l 。 可得 分析铁磁媒质与空气分界面上磁场的折射情况。 表明只要铁磁物质侧的B不与分界面平行，那么在空气侧 的B 可认为近似与分界面垂直。 铁磁媒质与空气分界面上磁场的折射 即 B1n= B2n； H1t=H2t ?0 a）围绕 P点作一矩形回路，则 当 时, 即 b）围绕P点作一扁圆柱，则 当 时， 即 表明在媒质分界面上磁矢位 A 是连续的。 矢量磁位A在分界面上的衔接条件 磁矢位 A 分界面上的衔接条件 综合两个结论，有 根据 有 对于平行平面场，则可写成 4．场分布：基于场量H的分析；边值问题；镜象法 例3－15：在图示含气隙的环形铁芯上紧密绕制N匝线圈，环形铁芯的磁导率为