LED专有名词解析.docxVIP

LED專有名詞AlGaN氮化鋁鎵: 其特性為band gap 大於GaN 所以一般其function 為block layer 降低電子速度提高電子電洞復合率 進而提高光產出效率。Ambient[Lv](輝度)從某一指定方向所觀察到單位投影面積上的發光強度，也可以表示物體或光源等的光輝程度。也就是說單位正射影面積內的光度。BEOL, Back-End-of-the-Line (後段製程)BEOL 指Chip 後段製程，後段製程為依照電性將相同光電特性規格 (同一bin) 放在同一個blue tape 因為排列為方形所以產出又稱為方片。CB layerCB (current block 縮寫) 其主要功能為阻檔finger 正下方通過電流而發光，此層可以幫助提升光取出效率 , 缺點 operation volatage 會上升。Chip晶粒, 在磊晶上製作出電極以及切出一顆顆元件其元件稱為晶粒。Direcrivily Characteristics (指向特性)光度的空間分佈，為一相對值。Domain Wavelength[WD] (主波長)簡單的說就是人類視覺上的波長。E-GunElectron Gun 是指電子槍,這是一個非正式的稱呼 ， 是指利用電子槍產生電子後加熱蒸鍍源，所以應該算是蒸鍍一種，目前ITO 與Pad metal 接是用E-gun 機台進行鍍覆。Electric Thermal Cooler[ETC] (電冷卻溫度控制)將電能轉換為溫度差的一種冷卻方式。Electroluminescent[EL] (電致發光)電能直接轉變為可見光而不產熱的發光技術。Epi磊晶, Epitaxy 縮寫 一般通稱在單一結晶方向上的基板 wafer (在blue LED 為單一方向氧化鋁基板)，再長上有方向性排列的薄膜 (在Blue LED 中是為多層的GaN)。EPI wafer長在基板上的EPI 一般稱為Epi waferEpitaxy同Epi.Etching蝕刻: 配合黃光製程定義出需要移除部份利用蝕刻製程將其移除,一般有分乾式蝕刻如MESA etching 利用ICP 另一個為濕式蝕刻如ITO etchingFEOL, Front-End-of-the-Line (前段製程)FEOL 指Chip 前段製程，前段製程包含5 pep Chip process 以及研磨切割, 此段產出為大圓片。Film Depo.薄膜沉積; 一般是利用PVD (physical vapor deposition) or CVD (chemical vapor deposition) 沉積出薄膜 (thin film)Forward Current[If] (順向電流)在規定的量測條件下，對應規定之順向電壓值的電極電流。Forward Voltage[Vf] (順向電壓)在規定的量測條件下，對應規定之順向電流值的電極電壓或電極間電壓。GaN氮化鎵: 在LED磊晶中依照function 分作1. p-type GaN (Mg doped) ?2. 主動層 3. n type GaN (Si doped) , GaN 成長溫度約1000~1400C?Half-Intensity Directional Angle (半功率發射角)沿著發光二極體大型燈發光面軸心線轉動測光器角度，當測得知發光二極體大型燈光度為 其軸心光度一半時，此位置與發光二極體大型燈發光面軸心線之夾角度hue(色度、色相) : 描述人眼色彩視覺感應強度的一種度量值。ICP, Inductive Couple Plasma為高密度電漿一種產生方式，此處是只MESA etching 用的ICP etchingInGaN氮化銦鎵: 其特性為band gap 小於GaN 所以一般作為主動層中Multi-quantum well 中well 層，其成長溫度低約400~800CITO layerITO?(In Sn oxide ) 又稱為透明導電層 (transparent conductive layer TCL): 此層為覆蓋在P-GaN 上方的導電電極。Leaded lamp傳統砲彈型 LED燈。LED big lamp (發光二極體大型燈)組裝多顆紅綠藍等色的可見光發光二極體模組，施加順向電流調配出各種顏色。LED, Light Emitting Diode (發光二極體)是一種半導體元件。初時多用作為指示燈、顯示板等；隨著白光LED的出現，也被用作照明。它被譽為21世紀的新型光源，具有效率高，壽命長，不易破損等傳統光源無法與之比較的優點。Luminance(照度)單位面積內所射入光的量，也就是光束除以面積(m2)所得到的值，用來表示某一場所的明亮值。Luminosity(光度)光的強度