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由于这个性质,在医学上和工业上就立即被广泛用来透视检验人体骨折或确定金属铸锻件中 其原理是以由阴极发射并在管电压的作用下向靶材告诉运动的电子流为激光源,致靶材发出辐射,即为X射线 高速运动的电子与靶材相撞获得很大的负加速度,其周围产生急剧变换的电磁场,即电磁辐射。极大数量的电子与靶材随机碰撞,碰撞过程与条件及每次碰撞的能量等千变万化,因而产生是波长不同且连续的辐射。 线光谱表现为在某些特定波长的位置具有强度很高的狭仄谱线。带光谱表现为多条波长相近的谱线形成的谱带。线状光谱与带状光谱都是含有物质特定信息的光谱,是材料光谱分析的重要技术依据。 康普顿公式 光谱项表示原子的能量状态,n为主量子数,L为角量子数,M表示光谱项的多重性,是在n与L一定的光谱项可产生M个能量稍有不同的能级分裂,每个光谱支项对应J的一个特定取值。 振动弛豫(VR)、内部转移(IR)、系间窜跃(IX)及外部转移(EC) 振动弛豫(VR)、内部转移(IR)、系间窜跃(IX)及外部转移(EC) 若已知谱仪功函数?sp(当样品与谱仪接触良好时,?sp为一定值,约为4eV)和入射光电子能量hv,并由谱仪测得光电子动能量E?k,即可求得样品中该电子结合能Eb。 俄歇电子能谱分析也是材料表面分析的重要方法之一。 俄歇电子能谱分析也是材料表面分析的重要方法之一。 02 各类特征谱基础 * 分子荧光、磷光光谱(了解) 电子从S1直接跃迁至第一三重激发态T1,将导致分子中电子自旋改变,这种跃迁是禁阻的。 但是电子从S0直接跃迁至第一单重激发态后,可以通过系间窜跃方式(IX)无辐射跃迁至T1;然后通过VR至T1最低振动能级,再辐射跃迁至基态任意振动能级,产生磷光,最后通过VR至基态最低振动能级。 IX是指不同多重态间的无辐射跃迁,通常是电子由S1的较低振动能级转移至T1的较高振动能级。 由于电子自激发态返回基态时,部分能量用于无辐射跃迁,故分子荧光波长长于激发光波长;又由于T1比S1能级低,因而磷光波长比荧光波长长。 02 各类特征谱基础 * 分子荧光、磷光光谱(了解) 02 各类特征谱基础 * 3.光电子光谱 光电子发射过程由光电子的产生(入射光子与物质相互作用,光致电离产生光电子)、输运(光电子自产生之处输运至物质表面)和逸出(克服表面势垒致发射至物质外,物质外环境为真空)3步组成。 发射过程的能量关系称光电子发射方程,一般可由下式表达,即 式中:h?—入射光子能量;Eb—电子结合能或电离能,即使物质产生光电离所需能量;A—光电子输运过程中因非弹性碰撞而损失的能量;?s—逸出功(功函数),固体样品中光电子逸出表面所需能量,?s=Ev-Ef(Ev为真空能级,Ef费米能级);Ek—光电子动能。 02 各类特征谱基础 * 3.光电子光谱 02 各类特征谱基础 * 3.光电子光谱 对于辐射光子能量使固体样品原子内层电子激发为光电子,电子结合能Eb是指电子由原来所处能级(Ei)跃迁至费米能级(Ef)所需的能量,即发射过程的能量关系称光电子发射方程,一般可由下式表达,即 Eb=Ef-Ei 实际分析测试固体光电子能谱时,样品与谱仪相连(置于谱仪样品架上),两者具有良好电接触,则费米能级相等。 由于谱仪(样品架材料)功函数?sp与样品功函数?sa不同,将使由谱仪测量的光电子动能E?k与样品发射的光电子动能Ek不同,有 将上式代入一般方程,并设A=0,则 光电子能谱(图)即光电子产额(光电子强度)对光电子动能或电子结合能的分布(图),光电子产额通常由检测器计数或计数率(单位时间的平均计数)表示。 光电子能谱图中表征样品电子结合能的一系列光电子谱峰称为主峰或特征峰。能谱图中还存在非光电子峰,称之为伴峰。伴峰有俄歇电子峰、多重态分裂峰等,在谱图分析时,应加以辨认。 02 各类特征谱基础 * 光电子能谱图 02 各类特征谱基础 * 光电子能谱按激发能源分类 X射线光电子能谱 以单色X射线为光源,激发样品中原子内层(芯层)电子,产生光电子发射,称为X射线光电子。X射线光源能量范围为100eV~10keV。当原子相互靠近形成分子或晶体时,外层原子轨道交叠形成能带,而内层原子轨道很少交叠,甚至不发生交叠,故来自内层的X射线光电子能谱具有表征元素电子结合能的特征,宜于进行样品成分(元素组成)分析。 紫外光电子能谱 以紫外光为光源激发样品获得的光电子能谱,称为紫外光电子能谱。目前应用的真空紫外光源hv=10~100eV,这个能量能激发原子、分子的外层价电子和固体的价带电子,故紫外光电子能谱宜于研究分子轨道与结合键和有机化合物结构以及固体能带结构等。 02 各类特征谱基础 * 光电子能谱按激发能源分类 02 各类特征谱基础 * 4.俄歇电子能谱 X射线激发固体中原子内层电子使原子电离,原子在
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