微波集成电路中AuNiCrTa多层薄膜残余应力的研究.pdfVIP

助 锨 材 料 2006年坦刘(37)鲞 微波集成电路中Au／NiCr／Ta多层薄膜残余应力的研究“ 唐 武1，房永思1，邓龙江1，徐可为2 (1．电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，匹lJII成都610054； 2．西安交通大学金属材料强度国家重点实验室，陕西西安710049) 摘要： 在磁控溅射的基础上，通过化学镀At,的方 性变形时晶面间距并不变化．也就不会使衍射线位移， 0。。用其它方 因此，X射线法测定的是纯弹性应变[6q 法在Al。O。基片上沉积Au／NiCr／Ta多层金属膜，通 过X射线衍射(XRD)技术研究了不同沉积温度和退法测得的应变，实际上是弹性应变和塑性臆变之和，两 火前后薄膜中残余应力的变化。结果表明：化学镀对 者无法分辨。另外，X射线法测定表面残余应力是非 溅射薄膜的残余应力有一定的调节作用，沉积态的薄 破坏性试验，X射线束的直径可以控制在2～3mm以 内，故能够测定一个很小范围内的应变，而其它方法所 膜均为拉应力，大小在33和50MPa之间，在400℃、 Ar气中退火lh时后，薄膜中残余应力转变成压应力，测定的应变，通常为20～30mm范围内的平均。X射 其平均值为一5MPa，薄膜中的残余应力随沉积温度变线透入深度小，且为非破坏性，是薄膜材判应力测试的 化不大。 重要手段。因此本文着重讨论应用X射线衍射抟一F 关键词： 金属膜；X射线衍射(XRD)；残余应力 研究微波集成电路中Au／NiCr／Ta薄膜残余应力的测 文献标识码：A 量及其与之相关的问题。 中图分类号：TB43；TGIl5．9 文章编号：1001-973l(2006)增：N-0808—03 2 实验方法 1 引 言 2．1 试样制备 薄膜中的残余应力对一个镀膜体系的优劣有很强 本文所用试样使用美国Vs_24C磁控溅射台制 的影响，膜基结合强度及薄膜本身的力学性能与残余 作，基体材料是A。。氧化铝单抛陶瓷片，依次连续溅射 应力的状态及分布有很大关系，薄膜材料残余应力的 测试一直是材料性能研究的重要命题。薄膜中的残余 系统简图如图1所示。溅射的Au靶直径为150mm， 应力状态对于器件的可靠性至关重要[1~5]，几乎所有纯度是99．99％，沉积系统真空度优于10～4Pa，溅射气 的薄膜中均存在着巨大的残余应力，对膜基体系的性 体为99．999％的Ar气，基体保持水平方向并采用负 能有显著的影响，因此残余应力的测试和分析对薄膜 偏压。溅射前，先预溅射2min以去除靶材表面的污染 质量控制有着重要的意义。一般认为，与整体材料相 物。在沉积过程中，基体温度分别为100、150、180、 似，残余应力在很大程度上影响膜基体系的多种性能， 200℃。溅射完成后，薄膜厚度通过化学镀增加到 其中包括弱化结合强度，产生晶体缺陷，破坏外延生长 7#m。将所得试样在400℃，Ar气中退火lh。 薄膜的完整性以及在薄膜表面产生异常析出等等。残 余应力随薄膜厚度的增加而增大会引起厚膜的剥落， 从而限制了膜的厚度。在半导体中，薄膜残余应力将 影畸禁带漂移。在超导体中，残余应力影响超导转化 温度以及磁各向异性。薄膜残余应力还引起基体的变 形，这在集成电路技术中是极为有害的。 薄膜残余应力主要由两部分组成，一部分是热应 力，由薄膜和基体热膨胀系数不同而造成；另一部分是 图1 沉积系统简图 热应力以外的那部分第1类内应力，其物理机制至今