CCD图像传感器原理.pdfVIP

2009 NO．20一 ChinaNew aI-dProducts Technologies 信息技术 CCD图像传感器原理 周红平 (中山大学岭南(大学)学院，广东广州510275) 摘要：CCD(ChargeCoupledDevice．s，CCD)fl70年代初诞生以来，已迅速发展成为最常用的固体图像传感器，且广泛应用于科技、教育、医 学、商业、r．tk、军事和消费领域。它是图像采集与数字化的关键器件。本文介绍了CCD图像传感器成像原理、工作原理、结构等，并对其 电路组成及相关电学参数进行了说明。 关键词：图像传感器；CCD CCD直接将光学图像转换为电荷信号，以 实现图像的存储、处理和碴示。其特点体现在4 个方面：1)饰：积小，重量轻，能耗少，—r：作电压低， 抗冲击与振动．寿命长；2)灵敏度高，噪声低，动 态范围大；3)响应速度快，刷新时无残留痕迹。 审 图5图像信息还原 摄像启动快；4)利用VLSI技术生产，象素密度 ㈣舶擘● 螂羽聃幡羽嘲■ 4．1灵敏度 高，尺寸精确，批量生产成本低。 lCCD分类 图2CCD电荷存储 它是指在一定光谱范围内单位曝光量的输 从CCD的工作特性可分为：线性CCD 出信号电压(电流)。也相当于投射在光敏元匕 3．2电荷转移 的单位辐射功率所产生的电压(电流)。 和矩阵式CCD。h从工艺特性又可分为：单 若CCD基本单位MOS电容器之间排列足 CCD、3CCD及SuperCCD三种。a按光谱可分够紧密(通常相邻MOS电容电极间隙小于 4．2量子效率 为可见光CCD、红外CCD、)‘光CCD和紫外 如果说灵敏度是从宏观角度描述CCD光 31-Lm)，使相邻MOS电容的势阱相互沟通。即相 CCD。 互耦合。那么就可使信号电荷(电子)在各个势 电特性，那么量子效率是对同—个问题的微观 2CCD结构 阱中转移，并力图向表面势S最大的位置堆积。 描述，可以理解为1个光子能产生的电子数。 CCD从结构上分为线阵CCD和面阵 43光谱响应特性 因此，在各个栅极上加以不同幅值的正向脉冲 CCD。从受光方式分为正面光照和背面光照两C，就可改变它们对应的MOS的表面势s，亦即 主要由光电二极管特性决定。下图是Si光 种。线阵CCD有单沟道和双沟道两种信号渎出可改变势阱深度，从而使信号电荷由浅阱向深 电二极管的光谱响应曲线。 方式，其中双沟道信号读出方式的信号转移效 阱自由移动。就电荷转移方式来讲，CCD有二 si材料的禁带宽度决定了光谱响应的长波 率高。面阵CCD的结构复杂，常见的有帧转移(相、三相、四相等多种结构形式。下面是三相 极限，由于波长愈短，半导体对光波的吸收系数 CCD转移图： 愈小。这就决定了光谱响应的短波极限。 Fr)CCD、全帧转移(F丌)CCD、隔列内线转移( Il，r)CCD、帧内线转税Frr)CCD、累进扫描内 线转移(PSIT)CCD等。 3CCD成像原理 Devices，CCD)由大量 - CCD(ChargeCoupled ’=r—_——tj———一● 独立光敏元件组成，每个光敏