光学薄膜厚度分布.doc

光學薄膜厚度分佈 References：Vapor Deposition of Thin film By Holland Chapter 3 or 4 Physical Vapor Deposition By Russell J. Hill 前言 在鍍膜過程中除了需要膜厚監控之外，另外，薄膜厚度分布也是一個非常重要的因素。我們可以先從理論計算來處理這個問題在進行理論計算時首先引入下列假設。 蒸發分子與蒸發分子，蒸發分子與殘餘氣體之間沒有碰撞。蒸氣分子到達基板表面後全部沉積成均勻薄膜。蒸發源的蒸發特性不隨時間變化。蒸發源的蒸發特性可以理想化為 點蒸發源： 蒸發特性在所有方向一致。 小平面蒸發源：蒸發特性遵守餘弦定。 ( 餘弦定由以上之假定，即可算出薄膜的厚度和分布情形。但如此所得知結果只是個近似值，實際情形必須加以必要之修正。 圖一、Evaporation of mg/sec from a source through the solid angle in the direction .平面中心為蒸發源，從蒸發源垂直平面方向的鍍膜速率定為1，其他方向與這條鉛垂線形成的角度為θ（θ小於等於90），而其鍍膜速率R為，當θ為90度即為水平方向而其鍍膜速率為0。 蒸發源與光學薄膜厚度的關係 現若用此兩種蒸發源將物質鍍在平面基板上，如圖則所得之厚度如下點蒸發源。所以單看厚度的話，以r方面的鍍膜速率為1，那鍍在基板上的速率就是，鍍上去的面積會與r成平方關係；而就厚度來說，則是與距離r平方成反比。如此一來，用同樣的份量的材料，鍍的面積越大，厚度就越薄。所以就會有以下的關係式成立： 小平面蒸發源： 圖二、receiving surface whose normal makes an angle θ with the direction of vapour stream. ※ 現在大部份的蒸發源都是小平面蒸發源，點蒸發源已經不多了。 若由蒸發源到平面基板之相關位置），如圖則所得之厚度如下 圖三、Evaporation firm a small area at on to a parallel plane surface. 圖三是一個很簡單的系統，在物理系很常見。這是一個沒有旋轉的系統，上方是一塊大的不銹鋼板，基板可以放在上面任一位置，我們用它來了解一下膜層厚度的分佈。從圖三上我們可以利用平行線看出，對小平面蒸發源來說，這裡，所以小平面蒸發源的關係式就變成了厚度正比與平方除以r平方。 對於點蒸發源，其厚度分布為 對於小平面蒸發源，其厚度分布為 在系統中，我們真正比較好測量的數據是蒸發源到基板的距離，以及蒸發源到基板的水平距離也就是各別為h及δ。然後將以h及δ代入，並除以t0（表示點蒸發源垂直方向打到基板位置O的厚度，表示方向所打到基板位置的厚度），如此可得對於點蒸發源 對於小平面蒸發源 將上述關係式畫成圖結果如圖四，虛線的是小平面蒸發源。縱軸是橫軸是，圖中說明了以蒸發源正上方的厚度為1時，其兩旁的厚度分佈。可看出中心點高度為h，厚度為1，其左右水平距離也相距h時，其厚度只剩0.3上下，是一個厚度分佈非常不均勻的狀態。 圖四Distribution of deposit on a plane surface for: (a) evaporation from a small directed surface (dotted line), (b) evaporation from a point source (full line). 球面基板 從一小面積蒸發源到一球面基板，如果其安排方式如下圖 圖五 為蒸發源，為基板的位置 則 ，而 所以在球的內部可以得到一個均勻的厚度。 是指，在一個虛擬球面上放一個小平面蒸發源，理想狀態下，在整個虛擬球面上的任何一點，鍍出來的厚度都一樣。之前推導出來的結果是跟及r有關，所以每一點的厚度都不相同，現在被消去了，r被代換成R，所以整個厚度的大小就變成只是取決於這個虛擬球面的半徑大小；只要球面一決定，那球面上鍍出來的每一點厚度也隨之決定。 從一點蒸發源到一球面基板，如果其安排方式如下圖 圖六As in 圖五, but with a point source at the centre. 所以我們可以將蒸發源作以下兩種配置蒸發源位於球面上蒸發源位於球 圖七 環形蒸發源 而實際上，我們沒有辨法很容易的得到理想的小平面蒸發源，那我們通常怎麼辨呢?這有一個例子（見圖八），我們在這圓環上擺滿了小平面蒸發源。蒸發源與基板的垂直距離是h水平距離