掺杂对C12H8N2电荷分布和成键特性的影响.pdfVIP

型丝童查墨!￡旦!些些皇煎坌塑塑堕堡堕丝塑墅堕 !! 掺杂对C，zH。N。电荷分布和成键特性的影响。 刘 俊1’2，陈希明1，刘宇1，董会宁1，粟俊科1 (1．重庆邮电大学光电工程学院，重庆400065；2．重庆大学数理学院，重庆400030) 摘要： 通过基于密度泛函理论的Hartree—Fock模 型，设计并优化了Cl：H8N2、C11SiHBN2和Clo研究掺Si对Cl。H。N2电荷分布和成键特性的影响。 shH。Nz。详细研究了掺Si对C，zHeN2电荷分布和 2算法 成键特性的影响。结果表明，掺不同含量的si对C-z H。N。的电荷分布、成键特性和发光性能有不同的影 电子受到原子核及其它电子的作用可近似地孀一 响，掺少量的sl更有利于改善c。HsN：的发光性能。个平均场来代替(单电子近似)。设原子的基态波函数 关键词：有机发光材料；掺杂；电荷分布 为： 中图分类号：0621．2 文献标识码：A