掺金属W对NiSi薄膜热稳定性改善的研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 掺金属W对NiSi薄膜热稳定性改善的研究 黄伟张利春高玉芝金海岩宁宝俊张广勤 (北京大学微电子学研究院， 北京， 100871) 摘要：本文首次提出在Ni中掺入夹层w金属来提高NiSi硅化物的热稳定性。实验结果 表明，经650’800℃快速热退火后，Ni(W)Si薄膜的薄层电阻率保持较小值，小于3Q／口。 生成，从而将NiSi薄膜的低阻温度窗口的上限从700℃提高到800℃。运用吉布斯自由能 理论给出了NiSi硅化物热稳定性得以改善的合理解释。研制的Ni(W)Si／Si肖特基势垒二 极管的肖特基接触特性良好，肖特基势垒高度约为0．64eV。 前言 难熔金属硅化物作为接触和局部互连材料具有很多优点，例如接触电阻小、薄层电阻 率低、无电迁徙现象、能够实现自对准结构和能够经受高温热过程等，因而在深亚微米集 成电路中被广泛应用…。目前，人们经常使用TiSiz，CoSiz这两种硅化物来降低影响集成 电路性能的接触互连电阻。但当器件特征尺寸小于0．25um后，钛硅化物的线宽效应，抑 制了高阻C49一TiSi。向低阻C54一TiSi。的转变；另外，金属钛在硅化反应中，是主扩