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AlN陶瓷基板制作方法 Al2O3基板制造的各种方法都可以用于AlN基板的制造。其中用的最多的是生片叠层法，即将AlN原料粉末、有机粘结剂及溶剂、表面活性剂混合制成陶瓷浆料，经流延、叠层、热压、脱脂、烧成制得。 但应特别指出的是，由于金属杂质及氧、碳等杂质的含量及存在状态对AlN基板的热导率有很大影响，必须从原料粉末的选择和处理、烧结助剂、烧成条件等方面采取措施，严格控制这些杂质。 AlN基板金属化 金属化膜的形成，各种方法都可以适用。但有两点需注意： 一点是AlN的烧成温度很高，必须采用高熔点金属后膜共烧浆料； 另一点是，一般说来AlN与金属化层的结合力不如Al2O3，必须采用特殊玻璃粘结剂的厚膜浆料。 AlN基板的特性 AlN基板热导率受残留氧杂质的影响 AlN材料相对于Al2O3来说，绝缘电阻、绝缘耐压更高些，介电常数更低些，特别是AlN的热导是Al2O3的10倍左右，热膨胀系数与Si相匹配，这些特点对于封装基板来说十分难得。 AlN基板的应用 VHF(超高频)频带功率放大器模块采用AlN结构的示意图。在AlN基板上用激光加工通孔，用丝网印刷在通孔中填入Pd-Ag浆料并形成电路图形，同图 (a)所示采用Al2O3与BeO相组合的复合基板相比，结构简单，其热阻为7.4℃/W，同图 (b)的热阻7.1℃/W相比，不相上下，频率及输入、输出特性也基本相同。 3、碳化硅（S