半导体激光器原理探究.pptVIP

半导体激光器原理与制造 Semiconductor laser diode PrincipleFabrication 主要内容 1.半导体物理基础知识 2.半导体激光器工作原理 3.工作特性及参数 4.结构及制造工艺 5.面发射激光器 半导体物理基础知识 能带理论 直接带隙和间接带隙半导体 能带中电子和空穴的分布 量子跃迁 半导体异质结 半导体激光器的材料选择 能带理论:晶体中原子能级分裂 晶体中的电子作共有化运动，所以电子不再属于某一个原子，而是属于整个晶体共有 晶体中原子间相互作用，导致能级分裂，由于原子数目巨大，所以分裂的能级非常密集，认为是准连续的，即形成能带 电子总是先填充低能级，0K时，价带中填满了电子，而导带中没有电子 导体 绝缘体 半导体 能带中电子和空穴的分布 能带中电子和空穴的分布 能带中电子和空穴的分布 量子跃迁 光的自发发射 （是半导体发光的基础） 光的受激吸收 （是半导体探测器工作的基础） 量子跃迁 光的受激发射：光子激励导带中的电子与价带中的空穴复合，产生一个所有特征（频率、相位、偏振）完全相同的光子。它是半导体激光器的工作原理基础。 量子跃迁 非辐射跃迁： 异质结界面态的复合 缺陷复合：有源区都是本征材料 俄歇复合：对长波长激光器的量子效率、工作稳定性和可靠性都有不利影响 量子跃迁 特点： 直接带隙和间接带隙半导体 直接带隙半导体跃迁几率高