电工学第8半导体器件1.pptVIP

PN 结正偏 PN 结正向导通 外电场与内电场方向相反 利于扩散 扩散 漂移 PN 结变窄 外部电源不断提供电荷 产生较大的扩散电流 I正 1. PN 结外加正向电压(称为正向偏置，简称正偏) 四. PN结的单向导电性(unilateral conductivity) 2. PN 结外加反向电压(称为反向偏置，简称反偏) PN 结反偏 PN 结反向截止 外电场与内电场方向相同 利于漂移 漂移 扩散 PN 结变宽 外部电源不断提供电荷 产生较小的反向电流 I反 四. PN结的单向导电性(unilateral conductivity) 3. PN结的特性： 加正向电压 导通 加反向电压 截止 单方向导电性 正向导通 反向截止 四. PN结的单向导电性(unilateral conductivity) P N 阳极 阴极 1. 结构、符号：一个PN结加外壳、引线构成 　二极管具有单向导电性。 一. 基本结构 2. 按结构分类: 点接触型、面接触型和平面型 3. 按材料分类：硅管和锗管 4. 按用途分类： 　普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管 一. 基本结构 OA 段： 外加正向电压很小时，外电场不足以克服内电场作用，扩散电流很小，二极管不导通。 　 死区电压(dead-zone voltage)：硅管约0.5V，锗管约0.2V。 U I O A B 伏安特性 C D 二. 伏安特性 2. AC段： 二极管导通后，电流在很大范围内变化，导通电压基本不变。 　导通电压：硅管约0.7V，锗管约0.3V 　温度升高，二极管的导通电压减小。 　温度每升高1℃，正向电压约减小2~2.5mV。特性曲线左移。 U I 0 温度升高 U I O A B 伏安特性 C D 二. 伏安特性 3. OB 段：二极管反向特性 (1)　反向电流很小，且基本不变，叫反向饱和电流(reverse saturation current)。它由少数载流子的漂移运动形成，少子的数目少(反向电流小)，少子的数目不随外加反向电压变化(反向电流基本不变)。 (2)　硅管的反向电流小，锗管的反向电流大。 (3)　温度升高，热激发加剧，产生少数载流子的数目增加，反向电流增大。温度每升高10 ℃，反向饱和电流增大约一倍。特性曲线下移。 U I 0 温度升高 U I O A B 伏安特性 C D 二. 伏安特性 4. BD 段：反向击穿(reverse breakdown)特性 (1)　电击穿可恢复。外加反向电压消失后，自由电子回到共价键中，PN结恢复。 (2)　若击穿后反向电流过大，将二极管烧毁，则PN结不能恢复。 (3)　反向击穿后，反向电压基本不变，具有稳压特性。稳压二极管就工作在这一特性曲线上。 U I 0 温度升高 U I O A B 伏安特性 C D 二. 伏安特性 U I 0 UD 近似特性 1. 二极管的近似特性：一种理想化的特性 　二极管的导通电压与死区电压相等 　二极管的导通电压：硅管0.7V，锗管0.3V。 2. 理想二极管的伏安特性： 二极管正向导通时，导通电压为零，正向导通电阻为零。 二极管加反向电压时不导通，反向电流为零，反向电阻为无穷大。 3.理想二极管具有开关特性 U I 0 理想特性 三. 二极管的应用举例1 　例题1：电路如图所示，试分别判断二极管为硅管和锗管时，二极管两端的电压和通过二极管的电流。 (a) (b) 　答：图(a)硅管0.7V, 2.3mA；锗管0.3V, 2.7mA 。 　例题2：在上图所示的电路中，若二极管为理想二极管，试判断二极管两端的电压和通过二极管的电流。 　答：图(a) 　0V, 3mA。　 图(b)　 3V,0mA。 例题 图(b)不论硅管和锗管，3V,0mA。 1. IF ：额定正向平均电流(最大整流电流) 二极管长期工作时允许通过的最大正向电流的平均值 2. UF ：正向电压降 二极管在通过额定正向平均电流时两端的电压值 3. UR ：最高反向工作电压 保证二极管不被击穿所允许的最大反向电压 4. IRm ：最大反向电流 二极管加最高反向工作电压时的反向电流 以上各值是选择二极管的依据！ 四. 二极管的主要参数 二极管的应用主要是利用它的单向导电性来实现整流、限幅（削波）、钳位隔离等作用。 1. 整流： 2. 限幅（削波）： E ui uo R D R ui uo D ui t uo ui t uo E 五. 二极管的应用举例2 3. 钳位、隔离： F A B R -12V DA DB UA UB 时，UF≈ UB DB 将 F 端电位钳位在 UB DA 将 F