CMOS复习题.doc

CMOS 1、假设MOS管的λ≠0，PMOS管工作在线性区及饱和区的(3) NMOS与PMOS管工作在线性区及饱和区的跨导。MOS管的λ≠0以及VSB≠0： (1) 画出MOS管工作在饱和区的完整小信号模型(2) 写出NMOS管工作在饱和区的CGS(3) 写出NMOS管工作在饱和区的跨导对于图1所示电路，其宽长为W/L，源/漏单位宽度的交叠电容为COV，源/漏单位面积的纵向结电容为Cj，源/漏单位长度的侧壁电容为Cjsw。(1) 讨论其栅源电容CGS随栅源电压VGS的关系(2) 对给定的VD电压，画出其栅源电容CGS随栅源电压VGS的变化曲线。 图1 4、在放大器设计中，应考虑哪些性能参数？“环形”MOS结构如图2所示，解释器件是如何工作的，并估算其等效宽度。比较这种结构与图3中所示结构的漏结电容 (a) (b) 图2 图3 6、画出NMOS晶体管的ID~VGS曲线，并在特性曲线中标出夹断点以VDS作为参数以VBS为参数。对于图所示NMOS器件，若VG=1.5V且VS=0 (1) 解释如果将VD不断减小到低于0V，将发生什么情况？ (2) 将Vsub不断增大到0V以上，将会发生什么情况？已知MOS器件工作在饱和区，且λ≠0及γ=0。(1) 推导MOS器件工作在饱和区的本征增益与栅-源电压的关系式(2) ID恒定，画出其本征增益与栅-源电压的函数曲线。()跨导gm恒定，画出其本征增益与栅-源电压的函数曲线。图所示电路中，(W/L)1=20μm/0.5μm， I1=1mA，IS=0.75mA，假设λ=0 (1) 计算使M1工作在线性区边缘的(W/L)2(2) 求出M1工作在线性区边缘的小信号增益。 10、如图6所示电路，所有MOS管工作在饱和区，假设λ=0且γ≠0，求该电路的小信号电压增益。 11、图所示的电路中，偏置电流为1mA，小信号电压增益为100，为使电路的输出电压摆幅为2.2V，计算所需的M1和M2的尺寸。图为共源共栅电路，偏置电流为0.5mA，输出电压摆幅为1.9V。 1) 如果(W/L)1-4=W/L且γ=0，计算Vb1、Vb2与W/L2) 如果L=0.5μm，求此时的电压增益。在标准CMOS工艺（P型衬底）中，画出共源共栅电流源作负载以及PMOS管作输入管的共源共栅（CSCG）单级放大器的电路原理图，并说明哪些MOS管存在体效应？假设MOS管工作在饱和区，且沟道调制系数λ∝1/L（1）用ID和W/L表示的gmro的表达式（2）画出以L为参数的gmro~ID的曲线。对于图所示电路，VDD=3V，VX从0变化到1.5V，且λ≠0及γ≠0(1) 请分析IX和晶体管跨导关于VX的关系(2) 请分别画出IX和晶体管跨导关于VX的关系。对于图所示的电路，Vin从0变化到VDD=V，且λ=0及γ=0(1) 分析讨论Vout与Vin的关系(2) 画出Vout与Vin的函数曲线草图。考虑如图所示的结构，假设λ=γ=0。求ID关于VGS和VDS的函数关系，并证明这一结构可看作宽长比等于W/(2L)的晶体管对于图所示的电路，λ≠0且γ≠0：(1) 画出该电路的等效小信号电路(2) 证明该电路的小信号增益。 19、在图所示电路中，λ=γ=0，如果IS从0变化到0.75I1，M1始终工作在饱和区(1) 分析该电路的小信号电压增益（要求给出相应的分析推导过程）(2) 画出该电路的小信号电压增益随之变化的曲线，并标准相应的参数。 20、在图所示的共源共栅级电路中，假设(W/L)1=50μm/0.5μm，(W/L)2=10μm/0.5μm，ID1=ID2=0.5mA，RD=1kΩ，λ≠0且γ≠0：(1) 选择恰当的Vb使M1偏离线性区50mV(2) 计算该电路的小信号电压增益。什么是MOSFET的衬偏效应和沟道调制效应？沟道调制效应系数λ与沟道长度L有何关系？沟道调制效应系数λ与 图15 24、MOSFET为什么可以用作模拟开关？传送低电平“0”时应选用NMOS管还是PMOS管？ 如果既要传送“0”和“1”电平，可以采取什么办法？ 25、比较电阻负载、恒流源负载和MOS“二极管”负载的CS放大器的主要区别。 26、利用MOS管小信号等效电路求出图16所示电路的小信号等效输入跨导Gm与输出阻抗Rout(假设所有MOS管均工作在饱和区)。 图16 27、图17中，设Kn＝2Kp（Kn＝μnCox）， λ p ＝ 2λn ，每个支电路偏值电流相等。设每个管的W/L相等且均工作在饱和区。确定哪个或哪些电路具有下列特性：1）.最高小信号电压增益；2）.最低小信号电压