有效抑制掺杂表面偏析效应的LTMBE技术.pdfVIP

有效抑制掺杂表面偏析效应的LT．MBE技术 张静徐婉静李开成刘道广 刘嵘侃 信息产业部电子24所模拟集成电路国家重点实验室 重庆市南坪花园路14号，400060 摘要在分子束外延中，所有的掺杂剂都存在表面偏析效应．本文提出的低温分子束外延 技术，有效地抑制了掺杂剂的表面偏析效应，掺杂浓度可达到”1020／cm3．生长掺杂 后用原位RHEED观测，晶体质量良好。这种技术应用于SiGeHBT发射区和发射区 接触的制作，结果表明，材料结构满足器件的要求． 关键词掺杂，表面偏析(Surface ’ (RTA)． 1引言 掺杂是MBE技术中的一大难点，通常被人们称为“掺杂难题”(dopingproblem)。所有 掺杂剂在MBE中都表现出表面偏析效应(Surface Segregation)。Sb作为MBE技术中最常用 的n型掺杂剂有它固有的优点，但其在外延温度(≥400℃)条件下所表现出的严重表面偏析 现象和低激活率，极大地阻碍了高浓度和理想分布掺杂的实现。 Hans 中中断Si束发射，淀积一层面密度为5x101‰m2的Sb原子，然后关掉Sb源，继续生长一层 800A的Si，用二次离子质谱(SIMS)测量Sb的浓度分布，结果如图l所示。 n 毫 o o 囱 j￡ oE阿H C且， 图1 6一doping结构中Sb的浓度分布， 从图l可以看出，Sb的浓度分布并未如预期的那样只在离表面800A处有一个脉冲峰， 而是峰被拓展，向表面方向拖了一条长长的尾巴，最高浓度也远低于预期浓度，这就是sb的 表面偏析效应。 158 衣回倔研即程发口J以用倔析比ro．4采表不。广D．一的定义为 h一=是．畿 ㈣ 式中，Ⅳ≥表示掺杂剂表面原子面密度，Ⅳ赫)是晶体表面单层原子面密度(siⅣ淼) 赚躲肝螂拟朊惭删槲溅是2D=瓮％．一引棚黯械 醐橄匦则黼椭激列吁额槲黻棚甏ⅣDNSt4所‰w·。 图2是在Si(100)中掺Sb的实验结果，当生长速率为3A／s，生长温度为450。C时，rSb1 (Jorke．1988)，证明存在严重的表面偏析效应。而当生长温度在200渤时，偏析比变为1 T，C1 图2偏析比与温度的关系 正如图2中所看到的一样，低于一定的生长温度(To。)可以抑制表面偏析效应，但在传 (amorphous)生长是不恰当的，实践证明，在初始生长界面和一定的外延厚度hepi内，外延 都是单晶生长，只是hepj与生长温度铀有关，‰岫越低，h_cpi越小。 159 要实现厚度超过hept的薄膜生长，可以通过快速热退火(RTA)来处理。 2LT．MBE生长技术 在LT-MBE中，生长温度和生长速率的选择非常关键，二者匹配不好就会影响晶体质量。 为此，我们进行了大量的实验，最终确定了最佳生长条件：生长温度为230C，生长速率为 o．2A／s，每生长200 A进行一次RTA，TRTA=650。C，时间2分钟，Sb源的温度决定掺杂浓度， 具体工艺步骤如下： 一2撑液。最后得到清洁的表面，并覆盖15A左右的氧化膜保护层。 b烘烤去气：在MBE系统的预真空室进行，温度400℃左右，时间20分钟。 c氧化膜：衬底温度升到850℃，通入Si束，去除表面Si02膜。