中國科学院微电子研究所项目成果一.doc

中国科学院微电子研究所情况介绍 中国科学院微电子研究所的前身原中国科学院 109 厂成立于 1958 年，1986 年中国科学院半导体研究所微电子学部加入，合并为中国科 学院微电子中心，2003 年 9 月正式更名为中国科学院微电子研究所。 微电子研究所是一所专门从事微电子领域研究与开发的国立研究机 构，是中国科学院微电子技术总体和中国科学院 EDA 中心的依托单 位。微电子研究所现有 11 个研究室，在职员工 750 人，科研与专业 技术人员 628 人（其中科学院院士 2 名，高级研究人员 179 名）。设 有博士和硕士学位授予点和博士后流动站，在读研究生 400 人。 中国科学院微电子研究所历史辉煌，1958 年，因研制“两弹一 星”和高频晶体管计算机，微电子研究所的前身中国科学院 109 厂应 运而生，并先后为我国第一台锗晶体管计算机——“109 乙机”研制 出合格的半导体晶体管；为我国第一台硅晶体管计算机——“109 丙 机”研究生产硅平面晶体管，提供了半导体器件；为我国第一颗人造 卫星“东方红”一号提供了半导体晶体管；为我国首台 1000 万次/秒 的晶体管计算机 757 机承担全部集成电路的研制生产任务。在几十年 的变革与发展历史中，微电子研究所几代科技工作者为中国微电子技 术与产业的发展付出了持续不懈的艰苦努力。承担并完成了上百项国 家科研任务，取得了丰硕的成果，为中国微电子技术的进步作出了重 要贡献。 在新的历史时期，中国科学院微电子研究所作为中国科学院“知 识创新工程”试点单位，秉承“惟精惟一、求是求新”的办所精神， 确立了当前的办所方针和发展目标；打造现代化的高技术研究机构。 面向国家在微电子领域的战略需求，加强关键技术创新与集成，承担 重点科技攻关与产品开发；面向产业发展需求，建设开放平台，通过 全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化；拓展前沿技术与基础 研究领域，发展交叉学科方向，成为我国 IC 技术和产业领域一个技 术创新基地和高素质高层次人才培养基地，为促进国家微电子技术进 步和自主创新，实现产业的可持续发展作出贡献。 项目成果 基于硅液晶微显示芯片 硅器件与集成技术研究室微显示驱动课题组成功研制出基于硅 基液晶（Liquid Crystal on Silicon，LCoS）微显示芯片，分辨率 为 SVGA（800×600）彩色微型投影显示器。 微型投影显示器的关键部件是 LCoS 芯片，它除了应用于微型投 影显示外，还可以应用于大屏幕高分辨率投影显示、3D 显示、军用 头盔显示器等领域，是目前公认的最有市场潜力、可便携的小尺寸， 获得大屏幕显示的器件之一。 该 LCoS 芯片的设计采用自主知识产权的场缓存像素电路，基于 中芯国际 0.35μm mix-signal CMOS 工艺，应用浙江大学研制的微型 投影机 LED 三色光源，采用时序彩色的方式，实现 8bit 256 级灰度 彩色显示。除此以外，课题组还对 LCoS 液晶盒的制备与液晶灌装的 关键技术进行研究和开发，并基于 FPGA 芯片成功开发了 LCoS 芯片视 频驱动系统，实现整机的完全国产化，为 LCoS 微显示技术的产业化 打下很好的基础。 基于硅液晶微显示芯片 IGBT 系列产品 中国科学院微电子研究所是国内最早从事 IGBT、VDMOS 等功率器 件开发的单位之一，技术领先实力雄厚。目前硅器件与集成技术研究 室已开发完成 15-100A/1200V、20-100A/1700V 非穿通型平面栅和沟 槽栅 IGBT 系列产品以及配套 FRD 产品，已完成 6500V 系列 IGBT 芯片 样品的开发，正在开发 2500V，3300V 和 4500V 系列产品。 IGBT 广泛应用于智能电网、高速列车、新能源发电、新能源汽车、 工业变频、家用电器等诸多领域，是关系国家能源、交通、工业、家 电等国计民生的核心电子元器件，具有重要的战略意义。目前我国 IGBT 与 FRD 产品的技术和市场完全被少数国外企业垄断，尤其在高 端应用领域。目前 1200V、1700V 的 IGBT 已经面向产业化，后续的 3300V、6500V。产品也已投入研发，保持了较好的研发层次性。自主研发的 1200V、1700V 的 IGBT 产品与国外同类产品的技术指标对比如下表所示： 击 穿 电 导 通 压 开 关 损 产品名 产品规格 制造商 压 降 耗 KWBW25N120S 微 电 子 1200 V 1.9 V 6.0 mJ 所 KWBW25N120F 1200V/25A 1200 V 2.2 V 5.5 mJ SKW25N120