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毕业设计(论文)
题 目 基于ADS的微波低噪声放大器的仿真设计
所属院(系) 物电学院 专业班级
姓 名 学 号:
指导老师
完成地点 物电学院实验室
2016年6月5日
基于ADS的微波低噪声放大器的仿真设计
[摘要]低噪声放大器用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器,以及高灵敏度电子探测设备的放大电路,低噪声放大器也主要面向移动通信基础设施基站应用。基于此,提出微波低噪声放大器设计,运用先进设计系统(ADS)仿真软件设计一个基于BJT的低噪声放大器。本次设计选取惠普公司的AT32011晶体管,设计的主要指标为噪声系数小于3dB,增益系数大于11dB,输入驻波比小于1.7,输出驻波比小于2.2。给出了偏置电路、输入输出阻抗匹配电路。仿真结果表明噪声系数为1.756dB,增益11.909dB,输入驻波比1.681,输出驻波比2.007,满足设计指标要求。
[关键词]低噪声放大器 晶体管 噪声系数 ADS
Simulation design of microwave low noise amplifier based on the ADS
Abstract:Low noise amplifier is used to all kinds of high or intermediate frequency radio receiver preamplifier, and sensitive electronic detection equipment, mainly low noise amplifier for mobile communications infrastructure base station applications. Based on this, this paper presents microwave low noise amplifier design, and designs a BJT-based low noise amplifier with advanced design system (ADS) simulation software. The design selected HPs AT32011 transistor. The main indicators for the noise factor of less than 3dB, gain greater than 11dB, input VSWR less than 1.7, the output VSWR less than 2.2. Given the bias circuit, the input and output impedance matching circuit. The simulation results show that the noise factor is 1.756dB, gain 11.909dB, input VSWR 1.681, 2.007 and output VSWR, and the design meet the design requirements.
Key words:low noise amplifier transistor noise factor ADS
目 录
一.绪论 1
1.1 概述 1
1.2 微波低噪声放大器的应用 1
1.3 微波低噪声放大器的发展现状 2
1.4 本次毕业设计的意义和主要工作内容 3
二.低噪声放大器的理论基础 4
2.1 放大器的稳定性 4
2.2 放大器的功率增益 4
2.3 低噪声放大器输入输出驻波比 5
2.4 低噪声放大器的噪声系数 5
2.5 S参数的定义 6
2.6 S参数的物理意义 6
三.低噪声放大器的仿真 7
3.1 低噪声放大器的设计指标 7
3.2 选取晶体管 7
3.2.1 创建项目 7
3.2.2 创建原理图 7
3.2.3 在ADS元器件库中选取晶体管 8
3.2.4 晶体管静态工作点仿真 9
3.2.5 晶体管的S参数扫描 10
3.2.6 晶体管选取总结 11
3.3 SP模型的仿真 12
3.3.1 创建原理图 12
3.3.2 搭建原理图并仿真SP模型的输入输出阻抗 12
3.3
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