最新一轮复习第九章单元小结练带电粒子在叠加场、组合场中的运动.docVIP

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最新一轮复习第九章单元小结练带电粒子在叠加场、组合场中的运动

单元小结练 带电粒子在叠加场、组合场中的运动 (限时:45分钟) 1.如图所示,虚线空间中存在由匀强电场E和匀强磁场B组成的正交或平行的电场和磁场,有一个带正电小球(电荷量为+q,质量为m)从正交或平行的电磁复合场上方的某一高度自由落下,那么,带电小球可能沿直线通过的是(  ) A.①② B.③④ C.①③ D.②④ 答案 B 解析 带电小球进入复合场时受力情况: 其中只有③、④两种情况下合外力可能为零或与速度的方向相同,所以有可能沿直线通过复合场区域,①中力qvB随速度v的增大而增大,所以三力的合力不会总保持在竖直方向,合力与速度方向将产生夹角,做曲线运动,所以①错. 2.如图1所示,一电子束沿垂直于电场线与磁感线方向入射后偏向A极板,为了使电子束沿射入方向做直线运动,可采用的方法是(  ) 图1 A.将变阻器滑动头P向右滑动 B.将变阻器滑动头P向左滑动 C.将极板间距离适当减小 D.将极板间距离适当增大 答案 D 解析 电子射入极板间后,偏向A板,说明EqBvq,由E=可知,减小场强E的方法有增大板间距离和减小板间电压,故C错误,D正确;而移动滑动头P并不能改变板间电压,故A、B均错误. 3.导体导电是导体中的自由电荷定向移动的结果,这些可以移动的电荷又叫载流子,例如金属导体中的载流子就是自由电子.现代广泛应用的半导体材料可以分成两大类,一类是N型半导体,它的载流子为电子;另一类为P型半导体,它的载流子是“空穴”(相当于带正电的粒子).如果把某种材料制成的长方体放在匀强磁场中,磁场方向如图2所示,且与前、后侧面垂直.长方体中通有水平向右的电流,测得长方体的上、下表面M、N的电势分别为φM、φN,则该种材料(  ) 图2 A.如果是P型半导体,有φMφN B.如果是N型半导体,有φMφN C.如果是P型半导体,有φMφN D.如果是金属导体,有φMφN 答案 C 解析 如果是P型半导体,它的载流子是“空穴”,由左手定则可知,“空穴”受到的洛伦兹力指向N,“空穴”偏向N,有φMφN,选项A错误,C正确.如果是N型半导体,它的载流子是电子,由左手定则可知,电子受到的洛伦兹力指向N,电子偏向N,有φMφN,选项B错误.如果是金属导体,它的载流子是电子,由左手定则可知,电子受到的洛伦兹力指向N,电子向N偏移,有φMφN,选项D错误. 4.如图3所示的虚线区域内,存在垂直于纸面向里的匀强磁场和竖直向下的匀强电场.一带电粒子a(不计重力)以一定的初速度由左边界的O点射入磁场、电场区域,恰好沿直线由区域右边界的O′点(图中未标出)穿出.若撤去该区域内的磁场而保留电场不变,另一个同样的粒子b(不计重力)仍以相同初速度由O点射入,从区域右边界穿出,则粒子b(  ) 图3 A.穿出位置一定在O′点下方 B.穿出位置一定在O′点上方 C.在电场中运动时,电势能一定减小 D.在电场中运动时,动能一定减小 答案 C 解析 a粒子要在电场、磁场的复合场区内域做直线运动,则该粒子一定沿水平方向做匀速直线运动,故对粒子a有:Bqv=Eq,即只要满足E=Bv无论粒子带正电还是负电,粒子都可以沿直线穿出复合场区域;当撤去磁场只保留电场时,粒子b由于电性不确定,故无法判断从O′点的上方还是下方穿出,选项A、B错误;粒子b在穿过电场区域的过程中必然受到电场力的作用而做类平抛运动,电场力做正功,其电势能减小,动能增大,故C项正确,D项错误. 5.如图4所示,空间存在竖直向下的匀强电场和垂直纸面向外的匀强磁场,一带电液滴从静止开始自A点沿曲线ACB运动,到达B点时,速度为零,C点是运动的最低点,则①液滴一定带负电;②液滴在C点时动能最大;③液滴在C点电势能最小;④液滴在C点机械能最小以上叙述正确的是(  ) 图4 A.①② B.①②③ C.①②④ D.②③ 答案 C 解析 液滴偏转是由于受洛伦兹力作用,据左手定则可判断液滴一定带负电.液滴所受电场力必向上,而液滴能够从静止向下运动,是因为重力大于电场力.由A→C合力做正功,故在C处液滴的动能最大.而由于A→C克服电场力做功最多,电势能增加最多,又机械能与电势能的和不变,因此,由A→C机械能减小最多,故液滴在C点机械能最小. 6.如图5所示,两导体板水平放置,两板间电势差为U,带电粒子以某一初速度v0沿平行于两板的方向从两板正中间射入,穿过两板后又沿垂直于磁场方向射入边界线竖直的匀强磁场,则粒子射入磁场和射出磁场的M、N两点间的距离d随着U和v0的变化情况为(  ) 图5 A.d随v0增大而增大,d与U无关 B.d随v0增大而增大,d随U增大而增大 C.d随U增大而增大,d与v0无关 D.d随v0增大而增大,d随U增大而减小 答案 A 解析 设粒子从M点进入磁场时的速度大小为v,

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