横向梯度材料结构的光伏电池研究.pdfVIP

秦友刚：横向梯度材料结构的光伏电池研究 横向梯度材料结构的光伏电池研究。 秦友刚 (石家庄钢铁有限公司，河北石家庄050031) 摘要： 介绍了横向梯度材料结构与现有光伏电池 向拓宽。我们将中间禁带层取消，使n型半导体材料 结构的异同，特点。对其性能和制作方法的可行性进 和P型半导体材料的衔接是以连续梯度方式过渡的。 行了初步探讨。首次提出实现横向梯度材料结构光伏 这样，在分子热运动作用下从n型半导体到P型半导 电池高光电转换效率和低制作成本的可能性。 体之间就形成了连续梯度的电势场，电势方向从n型 关键词：梯度材料；横向结构；光伏电池 半导体指向P型半导体，如图1所示：当存在光线时， 中图分类号：TM914 文献标识码：A 任何在该连续梯度电势场面上的被激发电子都将被推 向n型半导体的那一端。被激发孔穴都将被推向P型 文章编号：1001—9731(2006)增刊一0433—02 半导体的那一端。 1 引 言 光伏电池一般为以下层次结构：玻璃窗口；透明电 极(或有超薄金属镀层)；P(n)型半导体材料(必要时有 2层，其中一层是重掺杂为降低与电极的接触电阻)；中 间禁带层(有些电池没有该层结构)；n(p)型半导体材 图1 两段串联横向梯度材料结构的光伏电池 料(必要时有2层，其中一层是重掺杂为降低与电极的 1 Two inseries of 接触电阻)；金属电极．夕}绝缘和保护支撑层。外部光线 Fig segment lightvoltagebattery material transversal structure 都是垂直照射到光伏电池的多层结构上的。光线必须 grads 在P型半导体端附近的电子需要整个禁带宽度能 穿越1～4层结构，照射到第五层上使n(p)型半导体材 料被激发出空穴(电子)，该空穴(电子)必须有足够的量的光子激发才能够被激发到n型半导体端，而12型 能量在泯灭前到达P(n)型半导体材料上才能够实现光半导体端附近的电子只需很少能量的光子就可以被激 电转换。对太阳能电池材料一般的要求有：(1)半导体 发到n型半导体端，这样加大了利用太阳光的全波段 材料的禁带不能太宽；(2)要有较高的光电转换效率： 能量。事实上由于在P型半导体端附近的电子被少于 禁带宽度能量的光子激发也可以向n型半导体端移动 (3)材料本身对环境不造成污染；(4)材料便于工业化生 产且材料性能稳定。但由于光线反射，散射以及阳光连 而不是在原位置泯灭。因此只要梯度电势场连续性 续光子能量与半导体禁带无法全匹配等原因使目前光 好，并存在一定的场强度，任何位置只要有载流子被激 伏电池的效率非常低下，仅达到9％～23％。又由于多 发就存在载流子定向移动，就可以完全利用太阳光的 层结构的复杂性和对材料要求高纯度的条件使得制作 全波段能量，仅此一点，理论上就可以将光伏电池的效 复杂，成本很高。现有光伏电池主要有以下几种：单晶 率提高到70％以上。 硅太阳能电池；多晶硅薄膜太阳能电池；非晶硅薄膜太 由于条件的限制，作者仅仅进行了以下实验：P型 阳能电池；砷化镓Ⅲ一V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢 硒薄膜电池I聚合物多层修饰电极型太阳能电池；纳