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中国颗粒学会第人届学术年会暨海峡两岸颗粒技术研讨会 of Particle acrossTaiwanStraits 2008年12月 60AnnualConferenceofChinese cllm on SocietyParticuologySymposiumTechnology 模板法制备合金纳米金属线及其结构研究 姜海波, 顾锋, 李春忠 (华东理工大学材料科学与工程学院超细材料制备与应用教育部重点实验室,上海200237) 摘要:以草酸溶液为电解质,采用两步电化学阳极氧化法制备了氧化铝有序多孔膜,以此多孔膜为模板制各了镍铜 合金纳米线.研究了沉积溶液中不I司的镍铜离子的含量对纳米线中镍铜原子含量以及纳米线结构的影响.研究结果随 着沉积溶液中铜离子含量的增加,纳米线中铜原子的含量急剧升高,同时纳米线择优取向生长的趋势逐渐消失. 关键词:多孔氧化铝膜;合金纳米线;择优取向 S,电流逐渐增加,直到电流平稳,然后再降低电压2V, 1 前言 如此循环,直至阳极氧化电压降低到4V由于阻挡层 磁性纳米线阵列具有高度的磁各向异性,易磁化方 的厚度与电压成正比,最后当电压降低到4V时,阻挡 向一般与纳米线轴线平行,当外磁场垂直于膜面磁化 层的厚度为几纳米. 时,磁滞回线具有较高的矩形比,具有比二维纳米薄膜 (3)脉冲信号电化学沉积.沉积反应所用脉冲的条 材料更优越的磁学特性.因此,磁性纳米线阵列的制备 以及性能控制成为研究的热点.纳米线阵列的制备主要 为了研究沉积溶液中不同的离子浓度对纳米线组成的 是在高分子聚合物模板[1.3】和多孔氧化铝模板[4.8】的影响.沉积溶液的组成如下:(1)去离子水:100ml; 微孔内电化学沉积磁性材料,形成纳米线阵列.因为高 分子聚合物模板制备过程繁杂,价格昂贵,所以多孔氧 化铝膜成为首选的模板.根据沉积电流方式的不同,可 体的实验设计如表l所示. 以分为直流电沉积法[6,8】和交流电沉积法[5,7】. 表1沉积溶液中Cu和Ni的组成比例 Table1 TheratioofCu2’toNi2+inthesolution 直流沉积制备纳米线生长过程稳定,容易控制,但 窒墅堡量 ! ! ! ! ! 是必须用通孔的氧化铝作为模板。没有铝层支持的多孔 0.05 0.107 0.75 I.34 CuCl2.2H20(g)0 0.288 0.616 4.22 7.72 Cu:Ni(、vt%)0 膜,厚度只有几到几十微米,非常脆弱,极易破碎;而 曼坠!塑!i堡!!堑2一 ! !:!!鱼一一垒:i塑 !:!l !:!j一一 且为了使多孔膜的表面导电,必须沉积一层导电材料作 为电极,操作繁琐.对于交流沉积过程,模板处理相对 以上条件下制备的样品,分别为Sl,S2,S3,S4, 简单,不需要通孔处理,只要适当减薄阻挡层的厚度即 S5. 可,但是纳米线的生长过程不稳定,容易发生孔洞阻塞 2.2测试和表征 的现象;并且得到的磁性金属线结晶性不是很好,一般 (1)原子光谱测试纳米中Cu和Ni的含量. 需要退火处理.

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