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晶体生长与外延 CZ法生长单晶硅－起始材料 Cz直拉法 掺杂物质的分布 有效分凝系数 悬浮区熔法 砷化镓晶体的生长技术－起始材料 砷化镓生长工艺 布理吉曼法 材料特性－晶片切割 晶体特性－晶体缺陷 材料特性 晶体外延 外延层的构造和缺陷－晶格匹配及形变层外延 外延层缺陷 点缺陷－替代、填隙、空位和弗兰克尔缺陷。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 线缺陷，亦称位错－刃形和螺旋。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 面缺陷－孪晶和晶粒间界。 反映孪晶 旋转孪晶 小角度晶界 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 体缺陷－杂质或掺杂原子的析出现象。这些缺陷的产生是由在主晶格中 的固溶度引起的。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 另外，因固溶度造成析出的氧，可利用来吸杂。吸杂－指从晶片上制造器件的区域除去有害杂质或缺陷的过程。当晶片受高温处理，氧会从表面挥发，造成表面附近有较低的氧含量，形成了无缺陷区，用于制造器件。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层。衬底晶片可以作为晶体籽 晶，与先前描述的单晶生长不同在于外延生长温度低于熔点许多（30~50 %），常见的外延工艺有：CVD和MBE。 化学气相沉积（CVD）也称为气相外延（Vapor－phase epitaxy，VPE） 是通过气体化合物间的化学作用而形成外延层的工艺，CVD工艺包括常 压（APCVD）和低压（LPCVD）。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 硅的CVD 同时伴随额外的竞争反应 在外延生长时，掺杂剂和四氯化硅是同时加入的，气态的乙硼（B2H6） 被用作p型掺杂剂，而磷烷（PH3）被用作n型掺杂剂。气态掺杂剂通常 用H2来稀释，以便合理控制流量而得到所需的掺杂浓度。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 砷化镓的CVD As4是有砷烷分解而来 氯化镓是由下来反应而来 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 反应物和载气（如H2）一起被引入反应器中，而砷化镓的晶片一般维持 在650℃到850
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