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西安电子科技大学考研《822 电磁场与微波技术》 命题规律分析及复习要点精讲 一、考情分析及命题规律总结1、试题构成与特点试题一般分为填空题、分析计算题、论述证明题，试卷总分为150分。其中，“电磁场理论”部分60分（一般3-4道），“微波技术基础”部分45分（一般3道），“天线原理”部分45分（一般3道）。试题难度适中，难题、偏题较少。2、教材基本内容与考题权重分析《电磁场与电磁波基础》部分，考研涉及部分包括：第一章 矢量分析与场论；第二章 静电场；第三章 恒定电流的电场与磁场；第四章 静电场的解；第五章 时变电磁场；第六章 平面电磁场。一般考研分布为4道题，共计60分。第一章是贯穿在整个的运算当中的，其余的五章里，静电场和恒定电流场应该会有一道大的计算题；静态场求解关于唯一性定理、镜像法或者是分离变量法应该会有一道大题；时变电磁场应该有一道计算题；平面电磁波关于反射特性也应该会有一道计算题。 《简明微波》部分，考研涉及部分包括：微波基本概念及理论、传输线理论、波导理论、谐振腔理论。一般分布为3道题，关于传输线计算的一道；关于波导理论的一道；关于谐振腔理论的一道。 《天线原理》部分，考研涉及部分包括：基本概念和理论、天线特性参数、天线阵方向特性和阻抗特性、典型线天线、典型面天线。一般分布为2-3道题，考查内容为基本概念、基本公式计算和对天线工作原理的理解。3、命题规律总结及命题趋势分析本门专业课严格按照考研大纲出题，考察重点较为突出，题量和难度适中，怪题、偏题较少。预测今后几年的出题趋势，应当会较为稳定，与前几年变化不大。4、备考与应试策略 关于备战复习，要做到“三要三忌”：要抓基础、要注重理解、要坚持不懈；忌死记硬背、忌眼高手低、忌主次不分明。补充常识：微波 左邻右舍 二、要点精讲和复习思路第一章 矢量分析1、本章考情分析 本章主要介绍了矢量的概念以及相应的一些计算，虽然不会单独的出一道题，但是电磁场所有的计算都会用到这一章的知识，光有思路计算不出结果显然是不行的，所以这一章显得尤为关键。2、本章框架结构本章首先介绍了矢量的概念，然后介绍了矢量的散度、旋度、梯度，继而给出了亥姆霍兹定理和常用的坐标系。3、本章要点精讲要点一：矢量代数矢量既有大小，又有方向。矢量A可以表示为 A=eAA，其中A表示矢量A的大小， eA表示矢量A的方向。A = exAx + eyAy + ezAz可以看出，一个矢量场对应三个标量场。要点二：矢量的基本运算（1）、矢量的加减法两个矢量相加，等于两个矢量相应的分量分别相加，它们的和还是一个矢量：A+B =ex(Ax+Bx)+ey(Ay+By)+ez(Az+Bz) （2）、标量与矢量相乘 标量k与矢量A相乘，结果是A的方向未变，大小改变了k倍：kA=eAkA=exkAx+eykAy+ezkAz （3）、矢量的点积 矢量A与矢量B的点积，写成A · B ，它的结果是一个标量，其大小等于两个矢量的大小与它们夹角θ余弦的乘积： A·B = AB cos θ 和 A·B=AxBx+AyBy+AzBz （4）、矢量 A 矢量 B 的叉积，写成 A×B ，它的结果是一个矢量，其大小等于两个矢量的大小与它们夹角θ正弦的乘积，其方向垂直于矢量 A 与矢量 B 组成的平面(符合右手螺旋法则) ：A×B = AB sinθ 要点三：矢量场的散度散度的定义：设有矢量场A，在场中任一点P处作一个包含该点的闭合面S，设闭合面S所包围的体积为 。当体积 以任意方式缩向点P时，每单位体积由闭合面S向外穿出的净通量为矢量场A在该点的散度，即于是得到A的散度在直角坐标系中的计算公式为为了方便，我们引入一个矢量微分算子，称为哈密顿算子，它在直角坐标系表示为 、重点：散度定理散度定理也称高斯散度定理，表示为式中积分区域 为闭合面S所包围的体积，并假设A及其一阶导数连续。要点四：矢量场的旋度（1）、矢量场的环流设某矢量场A绕着场中某闭合路径C的线积分为上述线积分称为该矢量场A的环流。 称为线元矢量，线元矢量既有大小，也有方向。 （2）、矢量场的旋度A的旋度，记为 或 。 式中 为矢量 在面元矢量上的投影，如下图所示。重要性质：旋度有一个重要的性质，就是它的散度恒等于0。重要定理：在矢量分析中，除散度定理外，另一个重要的定理是斯托克斯定理，即 ， 式中积分区域面S的外围线为C。 例：已知 。现有一个在 面内的闭合路径C，此闭合路径由 和 之间的一段抛物线和两段平行于坐标轴的直线组成，如下图所示。求： （1）矢量场的A旋度； （2）计算环