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实验五：场效应管放大器 系别： 姓名: 学号： 实验日期： 实验目的 学习场效应管放大电路设计和调试方法； 掌握场效应管基本放大电路的设计及调整、测试方法。 实验仪器 示波器 1台 函数信号发生器 1台 直流稳压电源 1台 数字万用表 1台 多功能电路实验箱 1台 交流毫伏表 1台 实验原理 场效应管的主要特点： 场效应管是一种电压控制器件，由于它的输入阻抗极高（一般可达上百兆、甚至几千兆），动态范围大，热稳定性好，抗辐射能力强，制造工艺简单，便于大规模集成。因此，场效应管的使用越来越广泛。 场效应管按结构可分为MOS型和结型，按沟道分为N沟道和P沟道器件，按零栅压源、漏通断状态分为增强型和耗尽型器件，可根据需要选用。那么，场效应管由于结构上的特点源漏极可以互换，为了防止栅极感应电压击穿要求一切测试仪器，都要有良好接地。 结型场效应管的特性： ⑴转移特性（控制特性）：反映了管子工作在饱和区时栅极电压VGS对漏极电流ID的控制作用。当满足|VDS|〉|VGS|－|VP|时，ID对于VGS的关系曲线即为转移特性曲线。如图1所示。由图可知。当VGS=0时的漏极电流即为漏极饱和电流IDSS，也称为零栅漏电流。使ID=0时所对应的栅极电压，称为夹断电压VGS=VGS(TH)。 ⑵转移特性可用如下近似公式表示： ID=IDSS(1-VGS/VGS(TH))2(当0≥VGS≥VP) 这样，只要IDSS和VGS(TH)确定，就可以把转移特性上的其他点估算出来。转移特性的斜率为： gm=ΔID/ΔVGS|VDS=常数 它反映了VGS对ID的控制能力，是表征场效应管放大作用的重要参数，称为跨异。一般为0.1~5ms（mA/V）。它可以由式1求得： gm=-2IDSS/VGS(TH) ×﹙1-VGS/VGS(TH)) 输出特性（漏极特性）反映了漏源电压VDS对漏极电流IC的控制作用。图2为N沟道场效应管的典型漏极特性曲线。 由图可见，曲线分为三个区域，即Ⅰ区（可变电阻区），Ⅱ区（饱和区），Ⅲ区（截止区）。饱和区的特点是VDS增加时ID不变（恒流），而VGS变化时，ID随之变化（受控），管子相当于一个受控恒流源。在实际曲线中，对于确定的VGS的增加，ID有很小的增加。ID对VDS的依赖程度，可以用动态电阻rDS表示为： rDS=ΔVDS/ΔID|VGS=常数 在一般情况下，rDS在几千欧到几百欧之间。 ⑶图示仪测试场效应管特性曲线的方法： ①连接方法：将场效应管G、D、S分别插入图示仪测试台的B、C、E。 ②输出特性测试：集电极电源为+10v,功耗限制电阻为1kΩ；X轴置集电极电压1V/度，Y轴置集电极电流0.5mA∕度；与双极型晶体管测试不同为阶梯信号，由于场效应管为电压控制器件，故阶梯信号应选择阶梯电压，即：阶梯信号：重复、极性：一、阶梯选择0.2V∕度，则可测出场效应管的输出特性，并从特性曲线求出其参数。 ③转移特性测试：在上述测试的基础上，将X轴置基极电压0.2V∕度，则可测出场效应管的转移特性，并从特性曲线求出其参数。 ⑷场效应管主要参数测试电路设计： ①根据转移特性可知，当VGS=0时，ID=IDSS，故其测试电路如图3所示。 ②根据转移特性可知，当ID=0时，VGS=VGS(TH),故其测试电路如图4所示。 自给偏置场效应管放大器： 自给偏置N沟道场效应管共源基本放大器如图5所示，该电路与普通双极型晶体管放大器的偏置不同，它利用漏极电流ID在源极电阻RS上的压降IDRs产生栅极偏压，即： VGSQ=-IDRS 由于N沟道场效应管工作在负压，故此称为自给偏置，同时Rs具有稳定工作点的作用。该电路主要参数为： 电压放大倍数：AV=Vi=-gmRLˊ 式中：RLˊ=RD‖RL‖rDS 输入电阻：Ri≈RG 输出电阻：RO=RD‖rDS 恒流源负载的场效应管放大器： 由于场效应管的gm较小。提高其放大倍数的一种方法代替，如图6所示。它利用场效应管工作在饱和区时，静态电阻小、动态电阻较大的特性，在不提高电源电压的情况下，可获得较大的放大倍数。 设计举例： 试设计一个场效应管放大器，场效应管选用K30A；管脚排列为：要求电源电压为+12V；负载为RL为10k；Av≥5、Ri≥500k、Ro≤10k、?L≤50Hz；若要求电压放大倍数提高为50 ，电路如何改变？ ⑴电路模型选择：自给偏置场效应管放大器； ⑵场效应管特性参数测试：按上述方法测试（工作点为VDSG=5V、IDG=1mA）； ⑶确定RD、RS和RG； RD=(ED-(VDSQ+|VGSQ|))/IDQ=6.5KΩ 按E24标称系列取RD=6.8kΩ RS=|VGSQ|/IDQ=0.5(KΩ)按