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第五节 复杂电子衍射花样 四、菊池花样 菊池衍射谱的特点 hkl菊池线对与中心斑点到hkl衍射斑点的连线正交,而菊池线对的间距与两个斑点之间的距离也相等; 菊池线一般是明暗配对的直线,在正片上距离透射斑近者为暗线,远者为亮线; 菊池线对的中心线则相当于反射晶面与底片的交线;两条中心线的交点即为两个对应平面所属的晶带轴与荧光屏的截点,一般称之为菊池极; 当晶体取向改变不大时,衍射斑点基本不移动,但强度会有所变化,但是菊池线对取向非常敏感,当晶体稍微转动时,它会发生非常明显的移动; 当出现多个菊池极时,实际上已经带出了晶体的三维信息,这个时候就不会有180°不唯一性。 第五节 复杂电子衍射花样 四、菊池花样 菊池衍射谱实例 第五节 复杂电子衍射花样 四、菊池花样 菊池衍射谱实例 图a和d是简单的单晶电子衍射花样,图b是一种沿[111]p方向出现了六倍周期的有序钙钛矿的单晶电子衍射花样(有序相的电子衍射花样);图c是非晶的电子衍射结果,图e和g是多晶电子的衍射花样;图f是二次衍射花样,由于二次衍射的存在,使得每个斑点周围都出现了大量的卫星斑;图i和j是典型的菊池花样;图h和k是会聚束电子衍射花样。 ED花样 习题 分析电子衍射与X射线衍射有何异同? 用爱瓦尔德图解法证明布拉格定律。 说明多晶、单晶及非晶衍射花样的特征及形成原理。 * * * * * * * * * 单晶电子衍射花样就是(uvw)*0零层倒易平面(去除权重为零的倒易点后)的放大像(入射线平行于晶带轴[uvw])。 * 样品中各晶粒同名(HKL)面倒易点集合而成倒易球(面),倒易球面与反射球相交为圆环,因而样品各晶粒同名(HKL)面衍射线形成以入射电子束为轴、2?为半锥角的衍射圆锥。不同(HKL)衍射圆锥2?不同,但各衍射圆锥均共项、共轴。 各共顶、共轴(HKL)衍射圆锥与垂直于入射束的感光平面相交,其交线为一系列同心圆(称衍射圆环)即为多晶电子衍射花样。多晶电子衍射花样也可视为倒易球面与反射球交线圆环(即参与衍射晶面倒易点的集合)的放大像。 * * * * * * * * * * * * 电子束在穿透较厚的试样时,入射电子与试样之间会发生相互作用,其中有部分电子会发生非弹性散射。但是非弹性散射之后,它们的能量损失也只有几十电子伏特,相对透射电镜几十万伏的加速电压来说,这个能量是非常小的,因此可以认为非弹性散射以后,电子波的波长基本没有变化。因此当这一部分电子波在满足布拉格条件产生衍射时,其几何关系与弹性散射电子可以认为没有差别。 * 第三节 电子显微镜中的电子衍射 三、磁转角 (2) 磁转角标定 可以用MoO3晶体来对磁转角进行标定。 通过用一张底片进行双重曝光法拍摄MoO3晶体(薄片单晶)和其衍射花样图来测定。 MoO3晶体结构与点阵参数正交晶体,外形为六角形薄片梭子状,[010]方向很薄,梭子晶体的长边总是[001]方向。 ? a=0.3966nm,b=1.3848nm,c=0.3696nm 当用蒸发法沉积在支撑膜上的MoO3晶体,[010]方向总是接近和入射电子束重合,当样品台保持水平时,得到电子衍射花样的特征平行四边形为矩形,如图所示。 第三节 电子显微镜中的电子衍射 三、磁转角 (2) 磁转角标定 当用蒸发法沉积在支撑膜上的MoO3晶体,[010]方向总是接近和入射电子束重合,当样品台保持水平时,得到电子衍射花样的特征平行四边形为矩形,如图所示。 六角形晶体的长边总是[001]方向,g是衍射花样上的[001]方向,两者之间的夹角就是磁转角,表示图像相对于衍射花样转过的角度。 目前的电镜装有磁转角自动补正装置,从而使操作和结果分析简化。 调整中间镜电流使选区光阑边缘的像在荧光屏上非常清晰,这就使中间镜的物面与选区光阑的平面相重; 调整物镜电流使试样在荧光屏上呈现清晰像,这就使物镜的像平面与选区光阑及中间镜的物面相重; 抽出物镜光阑,减弱中间镜(用于衍射的)电流,使其物面与物镜后焦面相重,在荧光屏上获得衍射谱的放大像;在现代电镜中,只要转换倒衍射模式,并调节衍射镜电流使中心斑调整到最小最圆; 减弱聚光镜电流以降低入射束孔径角,得到尽可能趋近于平行的电子束,使衍射斑尽量明锐。 第三节 电子显微镜中的电子衍射 三、磁转角 (3)准确获得选区电子衍射花样的操作步骤: 花样特征:规则排列的衍射斑点。它是过倒易点阵原点的一个二维倒易面的放大像。R=Kg 任务:在于确定花样中斑点的指数及其晶带轴方向[UVW],并确定样品的点阵类型和位向。 电子衍射谱的标定主要有以下几种情况: ①晶体结构已知,确定晶面取向; ②晶体结构未知,进行物相鉴定; 方法:尝试-校核法、R2比值法、标准花样对照法 第四节 单晶体电子衍射花样标定 一、晶
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