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《微电子技术综合实践》指导书 一、设计目的与要求 全面掌握《半导体器件物理》与《集成电路工艺原理》课程的内容，加深对双极型和MOS型晶体管的设计及其集成电路制造工艺的理解，学会利用专业理论知识培养学生独立分析和解决实际工问题的能力培养学生的团队协作精神、创新意识、严肃认真的治学态度和的工作作风。1、设计报告用纸单面打印，并装订成册内容包括： 设计任务 设计正文参考字数：000字 参考文献 评语 2、封面格式 2、格式3、正文格式（第三页开始） 4、工艺实施方案格式 工艺 步骤 工艺名称 工艺目的 设计目标结构参数 工艺方法 工艺条件 1 衬底选择 衬底 电阻率 晶向 2 外延 为….提供….. 厚度： 常压外延/ 低压外延 掺杂剂 反应剂 温度 速率/时间 3 一次氧化 为…….提供掩蔽膜 厚度： 干氧-湿氧-干氧 温度/时间 4 一次光刻 为….提供扩散窗口 常规方法/ 刻蚀方法/ 曝光方法 正胶 或负胶 5 一次扩散 形成......... 区域 结深： 表面浓度/ 方块电阻 掺杂方式 杂质类型 温度/时间 能量/剂量 6 7 8 9 化学气相淀积CVD 为….提供…..膜 厚度： CVD方法 掺杂剂 反应剂 温度 速率/时间 10 11 12 13 14 15 16 17 5、参考资料格式 期刊类：[序号]作者1,作者2,……作者n.文章名.期刊名（版本）.出版年,卷次（期次）:页次. [序号]作者1,作者2,……作者n.书名.版本.出版地:出版社，出版年:页次. :西安交通大学出版社，2000 李乃平主编，《微电子器件工艺》，华中理工大学出版社，1995 黄汉尧，李乃平编《半导体器件工艺原理》，上海科学技术出版社，1986 夏海良，张安康等编，《半导体器件制造工艺》，上海科学技术出版社，1986 张屏英，周佑膜编，《晶体管原理》，上海科学技术出版社，1985 ISE软件使用指南。 提示1：N阱CMOS芯片工艺流程 N阱CMOSP阱CMOS工艺流程P阱CMOS 详细设计请参考： 《微电子器件工艺》，李乃平主编，华中理工大学出版社，1995 《微电子技术综合实践》设计报告 题目： 院系： 专业班级： 学生学号： 学生姓名： 指导教师姓名： 职称： 起止时间： 成绩： 目 录 设计要求…………………………………………………………………1 一、设计方案或步骤 二、器件的特性模拟与设计 三、芯片工艺流程分析（要求画出工艺流程剖面图） 四、芯片的工艺模拟与设计 五、结果分析与参数汇总 六、工艺实施方案（要求给出总的掺杂分布） 七、总结（设计体会）