Version1.0(Page1of6)封装Ⅰ型硅雪崩光电二极管.pdfVIP

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Version1.0(Page1of6)封装Ⅰ型硅雪崩光电二极管

Version 1.0 (Page 1 of 6) LC C3 封装Ⅰ型硅雪崩光电二极管型号：AA-SXXXXL 0X 00LCC3-X-A 特征及应用: l 速响应、增益、低结电容、低噪声 l 正照平面型芯片结构 l 200 m、500 m 光敏面可选 l 陶瓷贴片封装 l 内置滤波片（635nm 窄带）和白玻窗可选 l 激光测距、激光告警、激光雷达等应用大额定值参数名称符号小值大值单位工作温度 TOP -20 85 ℃ 储存温度 Tstg -55 125 ℃ 工作电压 Vop 0.9 VBR V 焊接温度 Stemp 260 ℃ 耗散功率 1 mW 正向电流 1 mA 光电性能 @Tc=22 3℃）特性参数符号测试条件最小典型最大单位光谱响应范围 λ — 400～1100 nm 光敏面直径 φ — 200 、500 μm λ=800nm ，响应度 Re 35 50 A/W φe=1μW, M= 100 f= 1MHz,R =50Ω, 响应时间 tS L 0.3 ns λ=800nm 0.02(1) 0.05(1) 0.4(1) 暗电流 ID M=100 nA 0.05(2) 0.1(2) 0.5(2) (1) 1.5 总电容 Ctot M=100,f=1MHz 3(2) pF 最适宜的放大倍数 M