第1章电力半导体器件讲义.ppt

1．基本结构 内部有两个P-N结，一个是漏区与P体区之间的P-N-结，称为漏区P-N-结；另一个是P体区与源区之间的P-N+结，称为源区P-N+结。由于源区和体区总是被金属模短路在一起由源极线引出，因此源区P-N结总是处于零偏置状态。 1.工作原理 正向截止状态(UGS≤0)下，漏区P-N-结反向偏置，没有电流流过，漏源正电压几乎全部降落在空间电荷区。 当栅极施加正电压(UGS≥0)时，由于栅极是绝缘的，并不会有栅极电流流过（稳态时），但在栅极正电压电场的作用下，会将其下面P区的空穴排开，而将P区中的少子（电子）吸引到栅极下面的P区表面。当大于UGS某一电压值UGS(th)时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，从而使P型反型成N型，该反型层即为沟道，这里为N型沟道。 1.工作原理 N沟道使得此区域的P-N-结消失，漏极和源极导通，电流从漏极流入，经N区、N-区、N沟道、N+源区，从源极流出，其中称UGS(th)为阈值电压， UGS超过UGS(th)越多，载流子浓度越大，形成的沟道越宽，导电能力越强，漏极电流ID越大。这就是场效应晶体管导电的机理。 漏极电流的通路电阻由N-区电阻、沟道电阻、漏极和源极接触电阻共同作用，当电压较大时， N-区电阻起主要作用。由于参与导电的电荷全部是电子，所以功率MOSFET为单极型器件。功率MOSFET由于不会出现电导调制效应，当截止电压大于200-400V时，其通态压降的理论极限值总是大于同等大小的双极型器件，而且其电流承载能力也相对较小。 另一方面，因为仅仅由多子承担电荷运输，没有任何少子存储效应，因此，功率MOSFET很容易实现极短的开关时间。 但内部寄生电容的充放电影响了其开关速度。因为每平方厘米的芯片面积上的电容约可达0.3uF，在芯片尺寸很大的器件中影响MOSFET的开关速度。这些由物理结构所决定的电容是其最重要的寄生参数，是影响功率MOSFET开关速度的主要因素。 2 基本特性 1）静态特性 则在漏源之间只有一个很小的漏电流IDSS在流动。当UDS增加时， IDSS也略有增加。当VDS超过某一特定的最高允许值（锁定电压U(BR)DSS）时，P-N-结会发生锁定现象，电流剧增。这一锁定电压在物理上大致对应了MOSFET结构中的寄生NPN双极晶体管的击穿电压VCER。 2.基本特性 （1）静态特性 正向截止状态：当外加一个正的漏源电压VDS时，若栅源电压VGS小于栅源开启电压UGS（th）， 正向导通状态可分为主动区域和电阻性区域。 1）主动区域：当栅源电压UGS仅略大于栅极开启电压时，沟道内电流的饱和作用将产生一个可观的压降（输出特性的水平线），此时ID由UDS控制。这个区域称为主动区域（饱和区），主动区域对应于GTR的线性放大区。功率器件只允许在开关状态下工作，所以主动区域仅在开通和关断过程中被经过。一般来说，不允许MOSFET在主动区域内稳定运行，因为UDS(th)随温度的上升而下降，制造偏差易引起温升失衡。 正向导通状态可分为主动区域和电阻性区域。 2）电阻性区域：在开关状态下，如果ID仅仅由外电路所决定，就处于被称为通态的阻性区域，有时也被称为非饱和区域，对应于GTR的饱和区域。 此时的导通特性可以用通态电阻，即漏源电压UDS和漏极电流ID之商来描述。在大信号区域内， UDS(on) =RDS(on)* ID ，RDS(on) 依赖于栅源电压UGS和芯片温度，从25℃到125℃时大约会增加一倍。功率MOSFET的饱和是指：漏源电压增加时漏极电流不再增加，非饱和是指：漏源电压增加时漏极电流相应增加。 b)当沟道受控开通以及 Uds为较小负值（单极性电流） 沟道关断 ，二极管 开通 沟道开通 ，二极管 关断 沟道：电子单极性电流； 二极管：双极性电流 反向运行：功率MOSFET的漏极和源极之间形成了一个与之反向并联的寄生二极管，当漏源电压为负，且UGS小于UGS(th)时，则MOSFET会显示出二极管特性。源漏PN结的导通电压决定了MOSFET在反向时的导通特性。这个双极型反向二极管可以运行到由MOSFET所给定的电流极限。 晶闸管门极与阴极之间的PN结J3，其伏安特性 称为门极伏安特性。 3 晶闸管的主要参数 ■电压定额 ◆断态重复峰值电压UDRM ?是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向 峰值电压（见图1-8）。 ?国标规定断态重复峰值电压UDRM为断态不重复峰值电压（即 断态最大瞬时电压）UDSM的90%。 ?断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。 ◆反向重复