ビームプローブを用いた GAMA10セントラル部の電位計測.pptVIP

* 金中性粒子ビームプローブを用いた GAMMA10セントラル部の低周波領域の揺動解析 筑波大学プラズマ研究センター　水口正紀　米田良隆 １．背景と目的 ２．GAMMA10概念図 ３．GNBP概念図 ４．実験結果１（スイープ計測及び固定計測の比較 ） ５．実験結果２（閉じ込め電位形成によるドリフト型揺動抑制 ） ６．結論 背景と目的 ?背景 タンデムミラー型プラズマ閉じ込め装置GAMMA10では、高周波加熱（ICRF）時間帯でドリフト型の静電揺動が様々な計測装置で観測されている。ドリフト型揺動は、異常輸送を引き起こす一因でもあり、径方向閉じ込めを改善するために理論的、実験的に研究が行われている。最近の実験では、電子サイクロトロン加熱（ECH）の入射パワーを制御することで、電位分布?径方向電場を容易に制御できるミラー装置の利点を生かし、プラズマ中の揺動が高電位生成によって抑制されることが分かってきた。 ?目的 GAMMA10主要閉じ込め部（セントラル部）の電位及び揺動を解析し、閉じ込め電位形成時における揺動減衰について知見を得ることを目的とした。金の中性粒子ビームプローブ法（GNBP）によってセントラル部プラズマの測定を行い、測定されたプラズマ電位及びビーム電流量をFFT解析し、電位揺動及び密度揺動スペクトルの解析を行った。 ①　GNBP CC System（セントラル部ビーム