ビームプローブを用いた GAMA10セントラル部の電位計測.pptVIP

* 金中性粒子ビームプローブを用いた GAMMA10セントラル部の低周波領域の揺動解析 筑波大学プラズマ研究センター　水口正紀　米田良隆 １．背景と目的 ２．GAMMA10概念図 ３．GNBP概念図 ４．実験結果１（スイープ計測及び固定計測の比較 ） ５．実験結果２（閉じ込め電位形成によるドリフト型揺動抑制 ） ６．結論 背景と目的 ?背景 タンデムミラー型プラズマ閉じ込め装置GAMMA10では、高周波加熱（ICRF）時間帯でドリフト型の静電揺動が様々な計測装置で観測されている。ドリフト型揺動は、異常輸送を引き起こす一因でもあり、径方向閉じ込めを改善するために理論的、実験的に研究が行われている。最近の実験では、電子サイクロトロン加熱（ECH）の入射パワーを制御することで、電位分布?径方向電場を容易に制御できるミラー装置の利点を生かし、プラズマ中の揺動が高電位生成によって抑制されることが分かってきた。 ?目的 GAMMA10主要閉じ込め部（セントラル部）の電位及び揺動を解析し、閉じ込め電位形成時における揺動減衰について知見を得ることを目的とした。金の中性粒子ビームプローブ法（GNBP）によってセントラル部プラズマの測定を行い、測定されたプラズマ電位及びビーム電流量をFFT解析し、電位揺動及び密度揺動スペクトルの解析を行った。 ①　GNBP CC System（セントラル部ビームプローブ） ②　GNBP EB System（東バリア部ビームプローブ） ① ② ③　Barrier-ECH：負の閉じ込め電位形成 　 　Plug-ECH：正の閉じ込め電位形成 ③ ECH ICRH Tandem Mirror GAMMA10 Pancake Coils イオン源 中性化セル GAMMA10本体 アナライザー イオン源：ビームの生成、加速?軌道調整 中性化セル：荷電交換反応によるビームの中性化 アナライザー：二次ビーム検出 一次ビームエネルギー：11.781[keV] 偏向電圧：9.117[kV] MCP(Micro Channel Plate) 偏向電圧 Gold Neutral Beam Probe 実験結果1 ?スイープ計測と固定計測によって得られたデータ、及びその解析結果を比較した。 RF1：51–240[ms] RF2：53–240[ms] Barrier-ECH：155-205[ms] Plug-ECH：160–190[ms] 径方向電位分布比較 左図は特定の時間帯における径方向電位分布をスイープ計測から算出したものであり、右図は固定計測から算出したものである。 両図の径方向電位分布を比較すると、各径方向位置において電位の値はほぼ一致している。以上から、電位解析に関してはスイープと固定計測に違いはない。 径方向電位揺動強度比較 スイープ、固定計測それぞれのデータをFFT解析し、径方向電位揺動分布を求めた。図中の揺動強度は1 - 20kHzの周波数帯で積算した数値である。ICRF時間帯及び閉じ込め電位形成時において両者を比較した。 両図を比較すると、各径方向位置における電位揺動強度の値?傾向は一致しない。 径方向密度揺動強度比較 前項と同様に、スイープ、固定計測それぞれのデータをFFT解析し、径方向密度揺動分布を求めた。 電位揺動と同様、各径方向位置における密度揺動強度の値?傾向は一致しない。以上より、スイープ計測による揺動解析は難しいと考えられる。以降の実験は固定計測結果を用いる。 RF1：51-240[ms] RF2：53-240[ms] Barrier-ECH：150-200[ms] Plug-ECH：155-180[ms] 実験結果2 本研究で用いたプラズマショットを示す。この時GNBPでは1ショット毎にビームの入射位置をx方向に6cmずつずらして測定しており、径方向の電位、揺動分布の解析が可能である。 径方向電位分布 ?R=0cmの電位分布、及び径方向電位分布を以下に示す。 ICRF時間帯における電位分布は中心近傍が低く、外側が高くなっている。 Plug-ECH（正の閉じ込め電位形成）の印加によって、プラズマ電位は全体的に上昇し、特に中心近傍の高い電位分布が形成される。 電位?密度揺動積算値 電位スペクトル3次元プロット 各位置において測定された電位にFFTを用いて周波数解析を行った。一例として左図に、x = 0cm近傍における低周波領域の電位揺動強度を、縦軸を周波数、横軸を時間で示す。 ICRF時間帯において6-7kHzの領域に特徴的な揺動が発生している。静電プローブによるスペクトル解析の結果から、この揺動はm = 1のドリフト型揺動であることが分かった。 電位?密度揺動周波数変化 ?前項のm = 1の