第4章应变式传感器讲义.ppt

4.1 电阻应变计结构 4.2 电阻应变效应 4.3 应变计型号命名规则 4.4 应变计主要特性 4.5 电桥原理及电阻应变计桥路 4.6 温度误差及其补偿 4.7 应变式传感器 4.8 几种新型的微应变式传感器 第4章 应变式传感器 定义 电阻应变式传感器是利用电阻应变片将应变转换为电阻变化的传感器, 传感器由在弹性敏感元件上粘贴电阻应变片构成。 工作原理 当被测物理量作用在弹性敏感元件上时, 弹性敏感元件的变形引起应变片的阻值变化, 通过转换电路将其转变成电量输出, 电量变化的大小反映了被测物理量的大小。 当材料在外力作用下不能产生位移时，它的几何形状和尺寸将发生变化，这种形变就称为应变（Strain） 特点 结构简单，尺寸小 性能稳定可靠，精度高 变换电路简单 易于实现测试过程自动化和多点同步测量、远距测量和遥测 应变式电阻传感器是目前测量力、力矩、 压力、加速度、重量等参数应用最广泛的传感器。 电阻应变计, 也称应变计或应变片, 是一种能将机械构件上的应变的变化转换为电阻变化的传感元件。 排列成网状的高阻金属丝、栅状金属箔或半导体片构成的敏感栅1, 用粘合剂贴在绝缘的基片2上。敏感栅上贴有盖片（即保护片）3。电阻丝较细, 一般在0.015~0.06 mm, 其两端焊有较粗的低阻镀锡铜丝（0.1~0.2mm）4作为引线, 以便与测量电路连接。图2.1中, L称为应变计的标距, 也称（基）栅长, a称为（基）栅宽, L×a称为应变计的使用面积。 图 4.1 电阻应变计构造简图 4.1 电阻应变计结构 一、工作原理 1、应变效应 导体或半导体材料在外（拉力或压力）力的作用时，产生机械变形，导致其电阻值相应发生变化， 这种因形变而使其阻值发生变化的现象称为“应变效应”。 2、金属电阻丝应变原理 4.2 电阻应变效应 一根金属电阻丝，在其未受力时，原始电阻值为 式中： ρ—电阻丝的电阻率； l—电阻丝的长度； A—电阻丝的截面积。 如果对电阻丝长度方向作用均匀应力，则ρ、L、A的变化 d ρ、d L、 d A将引起电阻d R的变化，可以通过对上式做全 微分求得： 由材料力学可知，在弹性范围内，金属丝受拉力时，沿轴向伸长， 沿径向缩短， 那么轴向应变和径向应变的关系可表示为 μ为电阻丝材料的泊松比， 负号表示应变方向相反。 考虑一段金属导体（l,?,S），如图4-2所示 图4.2 金属电阻应变效应 通常把单位应变能引起的电阻值变化称为电阻丝的灵敏系数。 其物理意义是单位应变所引起的电阻相对变化量，其表达式为 灵敏系数K受两个因素影响：一个是应变片受力后材料几何尺寸的变化， 即1+2μ；另一个是应变片受力后材料的电阻率发生的变化， 即（dρ/ρ）/εx。 注意： （1）.对金属材料来说，电阻丝灵敏度系数表达式中1+2μ的值要比(dρ/ρ)/εx大得多，而半导体材料的(dρ/ρ)/εx项的值比1+2μ大得多。 得到： 表示金属电阻丝的电阻相对变化与轴向应变成正比。 3、半导体应变原理 半导体应变片是用半导体材料制成的，其工作原理是基于半导体材料的压阻效应。沿一块半导体的某一轴向施加压力使其变形时，它的电阻率会发生显著变化，这种现象称为半导体的压阻效应。 利用压阻效应制成的传感器称为压阻传感器或半导体应变片。 （2）.大量实验证明，在电阻丝拉伸极限内，电阻的相对变化与应变成正比，即K为常数。 当半导体应变片受轴向力作用时， 其电阻相对变化为 式中dρ/ρ为半导体应变片的电阻率相对变化量，其值与半导体敏感元件在轴向所受的应变力有关，其关系为 式中： π——半导体材料的压阻系数; σ——半导体材料的所受应变力; E——半导体材料的弹性模量; ε——半导体材料的应变。 实验证明，πE比1+2μ大上百倍，所以1+2μ可以忽略，因而半导体应变片的灵敏系数为 半导体应变片的灵敏系数比金属丝式高50～80倍， 但半导体材料的温度系数大，应变时非线性比较严重， 使它的应用范围受到一定的限制。 此时电阻相对变化为： 使用应变片测量应变或应力时，将应变片牢固地粘贴在弹 性试件上，当试件受力变形时，应变片电阻变化?R。如果 应用测量电路和仪器测出?R，根据式?R/R=K*?，可得弹性试件的应变值? ，而根据应力-应变关系： ?= E?， （2-7） 可以得到被