项目2习题答案.docVIP

1. 填空题 (1)为了减小损耗，电力电子器件一般工作在 开关 状态。 (2)晶闸管的导通条件为 阳极正偏 和 门极正偏 。 (3)电力晶体管的电流是由 电子 和 空穴 两种载流子运动形成的。 (4)电力MOSFET是 电压 控制型器件，其输入阻抗 极高 ，输入电流 非常小 。 (5) IGBT的开通和关断是由 UGE 决定的。 2. 选择题 (1)晶闸管一旦导通，门极就( )控制作用，不论门极触发信号是否还存在，晶闸管都( )导通。C A. 保持 停止 B. 失去 停止 C. 失去 保持 D. 保持 保持 (2)门极可关断晶闸管属( C )型器件。 A. 不可控 B. 半控 C. 全控 (3)在电力电子电路中，GTR工作在开关状态，即工作在( A )和( C )。 A. 截止区 B. 放大区 C. 饱和区 (4)电力电子器件中工作频率最高的是( B )。 A. GTO B. MOSFET C. IGBT D. GTR (5) IGBT是由( B )和( D )构成的一种复合器件。 A. SCR B. GTR C. GTO D. MOSFET 3. 简答与计算 (1)如何关断晶闸管？ 关断晶闸管的方法有： (1)晶闸管处在正向阳极电压下，设法使流过它的电流减小到零，使其关断； (2)去掉阳极所加的正向电压，迫使流过它的电流减小到零而使其关断； (3)给原来处于导通状态的晶闸管两端加反向电压，使其阳极电压突然由正向变为反向，迫使电流迅速减小到零而关断。 (2)试说明GTO能自关断的原理。 GTO导通时饱和程度较浅，接近于临界饱和。关断时给GTO门极加负脉冲，即从门极抽出电流，强烈的正反馈使器件退出饱和而关断。多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使 P2基区的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 (3)什么是GTR的二次击穿？产生二次击穿的原因是什么？ 发生一次击穿后，如果有外接电阻限制电流IC增大，一般不会引起GTR特性变坏。如果不限制IC的增长，继续增高外接电压UCE，当IC增大到某个临界点时，UCE会突然下降，而IC迅速增大，这种现象称为二次击穿。 GTR发生二次击穿必须同时具备三个条件：高电压、大电流和持续时间。 (4)下图中实线部分为流过晶闸管的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id、电流有效值I和波形系数Kf。 （a） （b） （c） （d） (a) (b) (c) (d)