第 9 章 半导体二极管和三极管72324.pptVIP

9.1.2 N型半导体和 P 型半导体 9.1.2 N型半导体和 P 型半导体 9.1.3 PN结及其单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 9.2.2 伏安特性 二极管电路分析举例 9.3 稳压二极管 3. 主要参数 9. 4. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 9.3. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 截止区 (3) 饱和区 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 N 集电极 C 发射极 E 基极 B N P P N 2. PNP 型三极管 　 　 C B E T 符号 (a)NPN型晶体管； N N C E B P C E T B IB IE IC B E C P P N E T C B IB IE IC (b)PNP型晶体管 C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B C E 发射区 集电区 基区 P 发射结 P 集电结 N 集电极 发射极 基极 B 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB EC RC B E C N N P 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB EC RC NPN型: VCVBVE PNP型: VCVBVE 晶体管电流放大的实验电路  设 EC = 6 V，改变可变电阻 RB, 则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表： 2. 各电极电流关系及电流放大作用 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 IE/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IC/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IB/mA 晶体管电流测量数据 结论：(1) 符合基尔霍夫定律 (2) IC 和 IE 比 IB 大得多。从第三列和第四列的数据可得 这就是晶体管的电流放大作用。 称为共发射极静态电流(直流)放大系数。电流放大作用还体现在基极电流的少量变化 ?IB 可以引起集电极电流较大的变化 ?IC 。 式中，? 称为动态电流(交流)放大系数 + UBE ? IC IE IB C T E B ? ? ? ? + UCE ? + UBE ? IB IE IC C T E B ? ? ? ? + UCE ? (4) 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。 (3)当 IB = 0(将基极开路)时，IC = ICEO，表中 ICEO 0.001 mA = 1 ?A。 对于 NPN 型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 对于 PNP 型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE 特点:非线性 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6 ~ 0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V 3DG100晶体管的 输入特性曲线 O 0.4 0.8 IB/?A UBE/V UCE≥1V 60 40 20 80 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 9.4.3 特性曲线 共发射极电路 IC EC=UCC IB RB +