汽车电工电子讲义.ppt

制造工艺上必须满足以下条件： （1）发射区掺杂浓度远大于基区、集电区的掺杂浓度，以便提供足够多的载流子“发射”。 （2）基区很薄，掺杂浓度很低，以减少载流子在基区的复合机会，这是三极管具有小电流控制大电流的关键。 （3）集电区比发射区体积大且 掺杂少，以便于形成集电极电流。 IC mA ?A V UCE UBE RB IB V + + – – – – + + 2）电流分配关系及电流放大作用：晶体管三个电极上的电流之 间有如下关系： IE = IB ＋ IC 把集电极电流量与基极电流量之比定义为三极管的共发射极直流电流放大系数 ，其表达式为: 8.3.2 三极管的特性曲线 1. 输入特性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O 2. 输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。