用CatCVD方法制备多晶硅薄膜与结构分析.pdfVIP

材料及器件 2006 国家自然科学基金资助项目。No 用Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜与结构分析 张玉， 高博，李世伟2付国柱， 高文涛， 荆海， 1．中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心， 吉林长春130033。E—mail：bfzhangyu@l63．com； 2．吉林彩晶数码高科显示器有限公司，吉林长春130033 摘要 H2为反应气源，利用热丝高温催化分解反应气体，经过一系 以金属钨为催化热丝，采用热丝催化化学气相沉积，在30022的 列气相反应后，主要以一Sill3的形式在衬底上沉积，再由表 玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜。研究了H2稀释率、钨丝与衬底 面反应去氢而最终成膜。本文以钨丝作为催化热丝，通过对 间的距离和反应室气体压力等沉积参数对成膜的影响，通过 不同反应条件下的薄膜进行XRD分析，确定最佳成膜条件。 XRD分析确定本实验系统的最佳的多晶硅成膜条件。通过接 在对最佳条件下制备的多晶硅薄膜进行逐层刻蚀后，采用 触式膜厚仪测量，计算出薄膜生长速率为0．6nm／s。通过对最 XRD和SEM对薄膜进行测试，根据测试结果分析多晶硅薄膜 佳成膜条件下制备的多晶硅薄膜进行逐层XRD和SEM沏I试， 的生长机制。 分析了薄膜的生长机制，认为薄膜生长是分步成核，成核后 沿(111)面纵向生长，最终形成柱状晶粒。(111)面上的晶 2实验 粒尺寸为50nm左右。 2．1实验设备 Cat—CVD制备多晶硅薄膜的反应室为圆柱形的不锈钢腔 关键词 多晶硅薄膜；催化化学气相沉积；沉积参数；逐层分析；分 衬底问的距离为10cm。作为催化剂的钨丝长60cm，直径0． 步成核 39mm，折成“w”形固定在钢架上，详见文献【6J。钨丝的温 度由直流电源控制。通过加在钨丝上的电压和流过钨丝的电 1引言 流计算出起电阻率，根据钨丝的电阻率与温度的关系曲线确 多晶硅薄膜与非晶硅薄膜相比，具有更高的霍尔迁移率。 定钨丝温度。 以多晶硅薄膜为有源层制作的薄膜晶体管，尺寸可以做的更 2．2薄膜样品的制备 小，因而增加了开口率，提高了分辨率；提高了响应速度，可 样品沉积过程中，通过钨丝的电流为9．5A，钨丝温度约 实现周边驱动电路集成一体化。目前，液晶显示器的薄膜晶 体管是做在玻璃衬底上的，这就要求多晶硅薄膜采用低温方 过程中把样品分为三个系列，如表l所示。 法制备。低温制备多品硅薄膜的常用方法有激光晶化法、金 属诱导法等。激光晶化法已被应用到工业中，但其设备昂贵， 薄膜中晶粒尺寸分布不均匀，器件的一致性水平不高，而金 射线衍射仪。 属诱导法结晶周期长。催化化学气相沉积法(Cat—CVD)常 2．3优选薄膜的刻蚀 被称作热丝化学气相沉积法(hot—wireCVD)，是最具有前景