用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料的研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 用减压化学气相沉积技术制备 应变硅材料的研究 王敬梁仁荣徐阳刘志弘许军钱佩信 清华大学微电子学研究所，北京100084 摘要：利用减压化学气相沉积技术，制备出应变硅／SioesGe¨s／组分渐变SiGe／Si衬底结 构。通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度，以及适当优化固定组分si㈣。Ge¨。层的外延生 长工艺，可以有效降低表面粗糙度和位错密度。原子力显微镜分析表明：表面粗糙度可以 从3．07nm改善到0．75nm。表面应变硅层应变度约0．6％，位错密度约为5x104cm一。 关键词：应变硅、锗硅虚衬底、减压化学气相沉积 l引言 利用应变弛豫si。，Ge，合金层作为“虚拟衬底”(virtualsubstrate)，外延生长具有 应变si层(StrainedSilicon)可以使其载流子迁移率得到增强u。，从而可以提高芯片的 开关速度(响应频率)，因而受到日益重视。获得Si-一；Ge。层的方法一般是外延，为了使其 中的应变弛豫，可以采用较高温度的外延，或在较低温度外延后采用高温退火、离子注入 等手段促使其应变弛豫。从节约成本的角度出发，其中采用最多的仍是较高温度外延工艺， 使应变在外延过程中直接弛豫，比如常用的减压化学气相沉积(RPCVD)外延工艺。对于 RPCVD这种应变硅制备方法，其最突出的问题是外延完成后应变硅层表面粗糙度差幢1，位 错密度高。表面微粗糙度常常达到几个纳米，而位错密度往往在ixl05cm。2以上。 本文利用RPCVD技术，制备出应变硅／固定组分SiGe／组分渐变SiGe／Si衬底结构，通 过研究和控制组分渐变SiGe层的组分梯度，以及改善固定组分SiGe层的外延生长工艺， 以期能获得低粗糙度和低位错密度的应变硅材料。 2实验 实验采用125ram 延炉上完成。组分渐变SiGe层的厚度控制为2Ill，Ge组分从0逐渐增加到15％。为降低 位错密度和表面粗糙度，在实验中优化了工艺参数，将Ge组分尽量调整为线性变化。固 定组分SiGe层的Ge组分设定为15％，厚度800nill。为了降低表面粗糙度，在实验过程中 优化了外延的温度和沉积速度。 Instruments 外延完成后，利用Digital 3100型原子力显微镜(AFM)来分析表面微 粗糙度，FEIQuANTA YVONHR800UV型 分析样品断面形貌及Ge组分变化，Schimmel腐蚀液来显示位错，JOBIN 拉曼光谱(激发波长325nm)分析应变硅中的应变。 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 3结果与讨论 图1为应变硅样品横断面的SEM二次电子象。为更清楚地显示表层应变硅，图1b中 的圆圈部分放大成为图la。通过Ge组分变化引起的衬度差异，从图中可以较为清晰地看 到各层的分布。表层应变硅非常薄，大约20nm，由于边缘效应的影响，这一层的衬度不太 m。 理想，但仍可以清楚地分辨出来。S‰。Ge¨。层厚约800rim，组分渐变SiGe层厚约2 图1样品横断面的SEM二次电子象(a)为(b)图中圆圈部分的放大图 ∽ a 暑 o U 0 1 2 3 um Depm 图2Ge和Si组分深度分布 图2为利用EDS线扫描得到的Ge组分深度分布。由于扫描电子显微镜附属EDS的空 间分辨率较差，且受边缘效应的影响，不能分辨出表层应变硅。但从图中看出，组分渐变 SiGe层部分的Ge组分基本呈现出线性渐变的趋势。 图3为