第3章高频功率放大器试编.pptx

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第 3 章 高频功率放大器 复旦大学电子工程系 陈光梦 高频电路基础 2017-4-8 高频电路基础 2 概述 功率放大器的作用 发射、功率输出设备 功率放大器的分类 非开关工作状态:A类、B类、C类 开关工作状态:D类、E类、F类 功率放大器的要求 输出功率 电源效率 功率增益、阻抗匹配 谐波抑制度 2017-4-8 高频电路基础 3 C类谐振功率放大器 原理电路 晶体管:将激励信号转换为输出电流 谐振回路:滤波作用;阻抗匹配作用 激励信号:电压较大,使晶体管工作在非线性区 2017-4-8 高频电路基础 4 工作状态 2017-4-8 高频电路基础 5 尖顶余弦脉冲电流 将iC傅立叶展开: 其中 2017-4-8 高频电路基础 6 尖顶余弦脉冲分解系数 导通角 2017-4-8 高频电路基础 7 能量关系和集电极效率 基波输出功率: 直流输入功率: 集电极耗散功率: 集电极效率: 其中 与电流导通角有关,导通角越小集电极效率越高。但是电流导通角越小输出功率也越小,所以一般导通角取60~90度 2017-4-8 高频电路基础 8 C类谐振功放的工作状态分析 动态负载线 晶体管集电极电流ic与集电极电压vce共同确定的动态点的运动轨迹 由晶体管输出特性曲线和外电路方程共同确定 外电路是LC谐振回路,完全不同于电阻负载 可以用逐点描绘法得到动态负载线,在不需要精确计算的场合也常常用折线近似 2017-4-8 高频电路基础 9 折线近似的动态负载线 晶体管特性近似为线性 外电路方程为 动态负载线 2017-4-8 高频电路基础 10 高频谐振功率放大器的工作状态 2017-4-8 高频电路基础 11 三种工作状态的特点 由于输出端LC回路的滤波作用,输出电压始终为余弦波。 欠压状态 晶体管始终工作在线性区,输出电流为尖顶余弦脉冲。 过压状态 在输入电压峰值附近,晶体管进入饱和区,输出电流出现凹陷。 临界状态 在输入电压峰值附近,晶体管到达饱和区边缘,输出电流基本是尖顶余弦脉冲。 在导通角小于90度的时候,无论在哪种状态,输出电压与输入电压的关系都不是线性关系。 2017-4-8 高频电路基础 12 放大特性 欠压区:输出基波电压和基波电流均随输入幅度增加而增加,输出功率也相应增加。但是由于导通角的变化,此增加是非线性的,导致输出功率的增加为非线性的。 过压区:由于晶体管饱和,输出电压趋于不变;由于出现凹陷,输出基波电流也趋于不变,所以输出功率趋于不变。 2017-4-8 高频电路基础 13 临界状态下的输出 2017-4-8 高频电路基础 14 临界状态下,集电极电压的峰值为 所以,临界状态下集电极输出的基波功率为 基波集电极电流峰值为 谐振电阻为 2017-4-8 高频电路基础 15 例1 已知晶体管谐振功放 q = 75°即 求临界状态的输出功率、谐振电压以及流过晶体管的最大集电极电流。 解: 2017-4-8 高频电路基础 16 例2 已知某晶体管参数如下:ICM=750mA,PCM=1W,VCES=1.5V,GP(功率增益)≥13dB。要求以此设计一个C类功放,输出功率Po1=2W,电源电压VCC=24V。 解: 若选q =70°,则a0=0.253,a1=0.436 2017-4-8 高频电路基础 17 (晶体管安全范围) (晶体管安全范围) 2017-4-8 高频电路基础 18 保持输入 vbm不变, 保持电源电压VCC不变 通过改变 re ,研究C类功放的输出随负载阻抗改变的规律 负载变化对于C类功放的影响 2017-4-8 高频电路基础 19 负载阻抗变小,工作状态向欠压状态移动; 负载阻抗变大,工作状态向过压状态移动 在欠压状态,基波电流变化缓慢,近似恒流源; 在过压状态,基波电压变化缓慢,近似恒压源 在临界状态,具有最高的输出功率 在靠近临界的弱过压状态,具有最高的集电极效率 2017-4-8 高频电路基础 20 调制特性 1、集电极调制 通过改变集电极直流电压,使得放大器的输出发生改变,称为集电极调制。 2017-4-8 高频电路基础 21 集电极调制特性 集电极电压VCC 增大,工作状态趋于欠压区;VCC 减小,工作状态趋于过压区 欠压区:由于晶体管的恒流特性,导致输出电压和输出电流均基本不变,输出功率亦基本不变 过压区:晶体管进入饱和区,输出电压、输出电流以及输出功率受VCC 控制(调制) 2017-4-8 高频电路基础 22 2、基极调制 通过改变基极直流偏置电压,使得放大器的输出发生改变,称为基极调制。 2017-4-8 高频电路基础 23 基极调制特性 基极偏置电压VBB偏正(对于NPN晶体管而言),工作状态趋于过压区;反之,VBB偏负,工

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