硅衬底上高质量氮化铝的GSMBE生长及表征.pdfVIP

硅衬底上高质量氮化铝的GSMBE生长及表征 罗木昌①王晓亮①刘宏新。王雷①李晋闽①孙国胜。张小平⑦潘华勇⑦ 胡国新①孙殿照①曾一平①林兰英① ①中国科学院半导体研究所材料中心北京912信箱100083 Email ②北京大学物理系电镜中心北京100871address：竖!坚Q堑曼垒：§曼里i：堑：￡垒 摘要：我们用NH3作气源的MBE法在Si(111)和Si(100)衬底上外延生长了高质量的AIN单 晶薄膜。在生长开始前，先沉积Al以覆盖Si衬底表面防止Si的氮化。用XRD，DCXRD (X射线双晶衍射)、原位RHEED(反射式高能电子衍射)、AFM(原子力显微镜) 等分析手段对外延层进行了结晶性和表面形貌的表征，证实了AIN外延层具有较高 的质量。 AFM 关键词：分子束外延氮化铝硅衬底XRD 1引言 氮化铝(AlN)是一种优异的宽禁带半导体材料，近年来它与GaN等Ⅲ族氮化物一起在 蓝色LED、高温微电子器件及微波器件如高电子迁移率晶体管(HFET)的应用引起了国内外 研究者的广泛兴趣H。此外由于氮化铝自身的独特性质，如极高的声表面波速度、负电子亲 和势等，使得其在声表面波器件，场发射阴极等应用方面有着许多潜在的优势。一般地，AIN 的外延生长都是在蓝宝石上进行的。利用Si衬底不仅可以将以ⅡI族氮化物为基础的光电子、 微波器件和成熟的Si基VLSI微电子工艺进行完美的融合，而且可以实现Ⅲ族氮化物大面积 的外延生长，对于降低成本有着十分重要的意义。 ≈ 延的结构和表面形貌用X射线和原子力显微镜(AFM)进行了表征。 2实验 AIN的外延生长是在国产Ⅳ型MBE系统上进行的。高纯NH3用作生长的氮源，高纯铝用 RHEED系统进行原位监测。 作铝源。外延的过程用20KV Qcm，送入进样室之前，Si衬底经过在浓硫 所用Si衬底为2英寸，P型，电阻率为8．12 酸中煮沸，然后在18液，28液中水浴处理以去除金属离子。用去离子水漂洗后，按照S．K．Nikishin 等采用的四步法1处理，以得到一个被氢钝化的表面i送进进样室以后，先在500-600C对Si 衬底进行l小时的除气处理，再进入生长室。在进行生长前，对衬底进行高温850C的退火， 820 炉5-30秒(AI的束流等效压强为1．2X 10‘＆rollr)，在衬底上覆盖几个原子单层的Al，以防止 在衬底表面形成SiN。。最后通入NHs，开始A1N的生长；整个过程用20KV反射式高能电子 衍射系统进行原位观测。 样品的结构性质用RigakuX射线衍射仪，D8．discover双晶x射线衍射进行分析。表面 形貌用NanoscopeⅢa原子力显微镜进行表征。 3结果与讨论 图1是AIN外延膜典型的X射线衍射花样，显示我们得到的AIN是六方纤锌矿晶型。衬 AIN(0002)峰与Si(100)上的稍有偏离，并且表面平整度较后者要好的多，这一点我们从原位 能与(111)面是六方密堆面，而AIN在Si(100)衬底上则出现彼此旋转300的双畴结构有关 4 1 图1AIN外延的O．2e扫描X射线衍射花样a)AIN／Si(11)b)AIN／Si(100) (图中撬图分别是它们的双晶回摆曲线) 图2．3展示的是我们在生长过程中所摄下的原位RHEED图像，为直观比较，我们对 这种现象。样品在冷却过程中出现AIN的2X2再构，表明我们得到的是Al面极性的AIN外 延薄膜。