半导体器件原理讲述.doc

 目 录 摘 要 ……………………………………………………… 1 pn结 ………………………………………………………… 1 1pn结的平衡状态 ………………………………………………………… 1 2pn结的直流电流电压方程 ………………………………………………………… 23准费米能级与大注入效应 ………………………………………………………… 64pn结的击穿 ………………………………………………………… 8 5pn结的势垒电容与扩散电容 ………………………………………………………… 9  PN节 [摘要] 在一块N型（或P型）半导体单晶衬底上，用合金法、扩散法、外延法或离子注入法等掺入P型（或N型）杂质，这时，单晶片内既存在N型区也存在P型区，在P型与N型的交界面处便形成PN结。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础 [关键词] 半导体器件，杂质，基本单元 一．pn结的平衡状态 平衡状态：PN 结内部的温度均匀稳定，不存在外加电压、光照、磁场、辐射等外作用。 载流子的转移： p型半导体和n型半导体需要考虑的两个不同点即为： ①功函数W不同； p型半导体和n型半导体紧密结合而成的一个体系——p-n结时，为了达到热平衡状态（即无能量转移的动态平衡状态），就会出现载流子的转移：电子从功函数小的半导体发射到功函数大的半导体去，或者载流子从浓度大的一边扩散到浓度小的一边去。对于同质结而言，载流子的转移机理主要是浓度梯度所引起的扩散；对于异质结（例如Si-Ge异质结，金属-半导体接触）而言，载流子的转移机理则主要是功函数不同所引起的热发射。： 在p型半导体与n型半导体的接触边缘附近处（即冶金学界面附近处），当有空穴从p型半导体扩散到n型半导体一边去了之后，就在n型半导体中增加了正电荷，同时在p型半导体中减少了正电荷，从而也就在p型半导体中留下了不能移动的电离受主中心——负离子中心；与此同n型半导体扩散到p型半导体一边去了之后，就在p型半导体中增加了负电荷，同时在n型半导体中减少了负电荷，从而也就在n型半导体中留下了不能移动的电离施主中心——正离子中心。这就意味着，在p型半导体一边多出了负电荷（由电离受主中心和电子所提供），在n型半导体一边多出了正电荷（由电离施主中心和空穴所提供），这些由电离杂质中心和载流子所提供的多余电荷即称为空间电荷，它们都局限于接触边缘附近处，以电偶极层的形式存在。由于在两种半导体接触边缘的附近处存在着正、负空间电荷分列两边的偶极层，所以就产生出一个从np型半导体的电场——内建电场。在此，内建电场仅局限于空间电荷区范围以内，在空间电荷区以外都是不存在电场的电中性区。 p-n结的势垒和能带 p-n结界面附近处存在着内建电场，而该内建电场的方向正好是阻挡着空穴进一步从p型半导体扩散到n型半导体去，同时也阻挡着电子从n型半导体进一步扩散到p型半导体去。于是从能量上来看，由于空间电荷-内建电场的出现，就使得电子在p型半导体一边的能量提高了，同时空穴在n型半导体一边的能量也提高了；而在界面附近处产生出了一个阻挡载流子进一步扩散的势垒——p-n结势垒。根据内建电场所引起的这种能量变化关系，即可画出p-n结的能带图。在达到热平衡之后，两边的Fermi能级（EF）是拉平（统一）的。能带 二．pn结的直流电流电压方程 当p-n结两端有外加偏压作用时，p-n结处于非平衡状态，这时载流子的扩散电流不等于漂移电流，p-n结将流过与外加偏压相对于的电流。 p-n结 1）正向电压VF作用 p-n结的正向偏压是指p区接电源正极，n区接电源负极。势垒区是载流子的耗尽区，只有不可动的空间电荷区，所以势垒区是高阻区。而势垒区以外的p区和n区的载流子浓度很高，为低阻区。因此，外加电压几乎全部降落在势垒区，所产生的电场方向与p-n结自建场方向相反，削弱了自建电场，势垒区宽度也略有减小。势垒区电势差减小为。p-n结的能带也产生相应的变化，能带弯曲减小，势垒区高度降低为。自建电场的减弱使载流子扩散运动加强，漂移运动减弱，因此，扩散电流大于漂移电流，从而形成了电子从n区到p区和空穴从p区到n区的净扩散电流。这将在各区势垒区边界处积累非平衡少子，非平衡少子由于浓度梯度向体内扩散，边扩散边复合，在几个少子扩散长度范围内消失。这样p-n结可分为中性区，扩散区和势垒区。流过p-n结的总电流密度，图1是电子电流Jn和空穴电流Jp的分布图，J首先为p区多子传导电流，在到达势垒区附近时与注入的非平衡电子复合逐渐转化为电子扩散电流，通