半导体器件基础2讲述.ppt

半导体概要 载流子模型 载流子输运 pn结的静电特性 pn结二极管：I-V特性 pn结二极管：小信号导纳 pn结二极管：瞬态特性 BJT的基础知识 BJT静态特性 BJT动态响应模型 MOS结构基础 MOSFET器件基础 JFET 和 MESFET简介 基本概念 Bipolar Junction Transistor 晶体管的发明 晶体管的特性 制备工艺 理想NPN掺杂分布 集电结外延，发射结离子注入 晶体管的静电特性 两个独立的PN结构成 背靠背二极管 工作原理 特性参数 发射效率(PNP) 基区输运系数 特性参数-1 共基极直流电流增益 特性参数-2 共发射极直流电流增益 小结 BJT的基本概念 BJT的结构与工艺 BJT的工作原理 特性参数 半导体概要 载流子模型 载流子输运 pn结的静电特性 pn结二极管：I-V特性 pn结二极管：小信号导纳 pn结二极管：瞬态特性 BJT的基础知识 BJT静态特性 BJT动态响应模型 MOS结构基础 MOSFET器件基础 JFET 和 MESFET简介 理想晶体管模型 基本假设 载流子在基区的运动是一维的。 基区宽度大于载流子的平均自由程、因而能够将载流子在基区的输运看作是扩散+漂移; 基区中准中性近似成立。 准中性区满足小注入条件。非平衡少于密度低于同一位置上的多子平衡态密度。 忽略基区复合，对于现代高?晶体管这一条是成立的。 稳态条件下工作 发射区和集电区足够宽,杂质在三个区中是均匀分布的 边界条件 发射区 边界条件-1 基区 边界条件-2 集电区 计算方法 只要求出 的分布,就可计算各区的电流, 从而计算出各特性参数. 通用解 发射区的解 发射区通解: 通用解-1 集电区的解 通解: 通用解-2 基区通解 简化关系式 当WLB时 简化关系式-1 特性参数 E-M方程 BJT的端口特性 P289 理论和实验的偏差 共基极输入特性 理论特性中发射极电流与VCB无关 实际特性:IE随VCB增加显著增加 共基极输出特性 理论: VCB无限制 实际:最大为VCB0 理论和实验的偏差-1 共发射极输入特性 大部分是一致的 共发射极输出特性 理论:完全水平 实际:向上倾斜, 有最大VCE限制 基区宽度调制 W与外加电压有关 基区宽度调制-1 对共基极 基区穿通 双极晶体管在基极开路条件下工作，随着外加VCE上升，未发生雪崩击穿而出现 集电极电流急剧增加的现象 W?0 雪崩倍增和击穿 共基极 与单个PN结类似, 最大击穿电压为VCB0 共发射极 现象: VCE0小于VCB0 雪崩倍增和击穿-1 M?1/ 几何效应 器件尺寸有限, 必须考虑二维效应 发射区面积不等于集电区面积 几何效应-1 串联电阻(基区电阻) 复合-产生电流-1 发射结侧向注入及基区表面复合 缓变基区 品质因素 Gummel图 与IC的对数关系曲线 现代BJT结构 第一个集成的BJT 现代BJT结构-1 多晶硅发射结BJT 现代BJT结构-2 HBT 小结 理想晶体管模型 E-M模型 实际与理想的偏离 BJT结构 半导体概要 载流子模型 载流子输运 pn结的静电特性 pn结二极管：I-V特性 pn结二极管：小信号导纳 pn结二极管：瞬态特性 BJT的基础知识 BJT静态特性 BJT动态响应模型 MOS结构基础 MOSFET器件基础 JFET 和 MESFET简介 小信号模型 小信号工作是指输入信号电流、输出信号电流、输入信号电压以及输出信号电压之间满足线性变化关系的工作状态 小信号工作条件： 输入信号电压以及输出信号电压都远小于热电压(kT/q) 小信号模型-1 小信号模型-1 小信号等效电路 混合?模型 小信号模型-1 混合?模型-1 跨导gm 混合?模型-2 输入电阻r? 小信号模型-1 瞬态响应 开关工作 器件在开态和关态之间切换 开关晶体管的静态参数包括临界饱和电流增益、饱和深度、开态阻抗及关态阻抗。 瞬态响应-1 饱和深度（过驱动因子） 关态阻抗 开态阻抗 开关时间 瞬态开启特性 基极输入电压脉冲的上升沿到来之后，集电极电流从截止态小电流上升到饱和态大电流的过程。 包含延迟过程和上升过程 延迟过程是发射结过渡区电容的充电过程 关断时间 始于基极输入电压脉冲的下降沿，集电极电流下降到反向电流值结束 包含退饱和过程和下降过程 退饱和过程和下降过程的界限是VBC=0 小结 小信号模型 小信号模型的定义 混合?模型 特征频率和截止频率 瞬态模型 上升时间 下降时间 C B E VCE IB IC VEB IC,IB 以及基区宽度调制减小 半导体器件基础 iB iC vBE vCE T iB iC vBE vCE T 在放大