半导体物理与器件第七章1讲述.ppt

半导体物理与器件 陈延湖 第七章 pn结 pn结在现代电子学中具有重要的应用，是多种半导体器件的核心。因而pn结对于各种半导体器件的学习特别重要。 p-n结的基本结构（7.1 ) Pn结的基本结构 Pn结的基本物理模型 p-n结零偏特性(7.2 ) 能带图 内建电势差 空间电荷区特性 p-n结反偏特性(7.3 ) 能带图 空间电荷区宽度与场 势垒电容 p-n结击穿(7.4 ) 雪崩击穿 齐纳击穿 7.1 P-N结的基本结构 半导体中的结：不同导电类型（或导电能力）的半导体的界面（过渡区）。 PN结的概念 冶金结（metallurgical junction）：分隔p区与n区的交界面又称为冶金结。 PN结的概念 PN结的制作方法 PN结的制作方法—合金法：整流二极管、稳压二极管等 PN结的制作方法 PN结的制作方法—离子注入法：FET中的二极管 PN结的杂质分布 ①突变结杂质分布：在pn结交界面处，杂质浓度由NA(p型)突变为ND(n型)。 PN结的杂质分布 ②缓变结杂质分布：在pn结交界面处，杂质浓度从p区到n区是逐渐变化的。 PN结的杂质分布 2 pn结的空间电荷区的形成 成结后： 成结后各电流成分： 7.2 零偏PN结 成结前： 成结后 平衡pn结的内建电势差 空间电荷区电场强度 空间电荷区分离的正负电荷产生内建电场，其电场强度的大小和电荷密度的关系由泊松方程确定 耗尽区近似的验证 耗尽层近似：一般室温条件，对于绝大多部分势垒区，载流子浓度比起N区和P区的多数载流子浓度小的多，好像已经耗尽了，此时可忽略势垒区的载流子，空间电荷密度就等于电离杂质浓度，即为耗尽区近似。所以空间电荷区也称为耗尽区。 空间电荷区宽度 势垒电容（结电容） 势垒区的电荷随电压变化的充放电效应，就如同一个电容，称为势垒电容（结电容）。定义为： 势垒电容C-V特性应用1 小结 势垒电容计算方法:在势垒区解泊松方程 得到势垒区的电场及电势分布 由电势分布函数确定势垒区宽度 根据势垒区宽度及电荷浓度确定总的空间电荷数量Q Q是偏压V的函数，由Q的表达式计算微分电容 7.4 P-N结击穿 当反向电压突然增大到某一数值时，反向电流密度突然迅速增加的现象，称为PN结的击穿，该反向电压定义为击穿电压Vbr 载流子倍增效应： 在强电场作用下，势垒区的电子空穴具有很大动能，与晶格原子碰撞，产生大量载流子，载流子一代一代的不断繁殖增多，即发生了倍增效应。相应的反向电流迅速增大，PN结表现为雪崩击穿。 当反向电压增大时，可能出现p区价带顶高于n区导带底的情况。 齐纳击穿的特点： 在重掺杂的情况下，隧道长度较短，反向偏压不高时，即可发生齐纳隧道击穿。而在较低掺杂浓度下，则容易发生雪崩击穿。 温度上升，Eg变小，隧道长度变短，齐纳击穿电压具有负的温度系数。 结击穿的应用 集成电路中的ESD(electrostatic discharge)保护结构 反向电压增大，对一定的反向电流，所损耗的功率也增大，形成大量热能导致结温升高，结温的升高导致反向饱和电流的增大，进一步产生更多的热量，导致更高的温度，最终pn结发生热电的正反馈，这种由于热不稳定性引起的击穿称为热电击穿。 小结 pn结类型 PN结空间电荷区、耗尽区、势垒区 pn结热平衡态（零偏），内建电场、内建电势差 耗尽区假设、空间电荷区宽度 反偏pn结，势垒电容 击穿机理 ①空间电荷区内正负空间电荷区的宽度和该区的杂质浓度成反比，即空间电荷区主要向杂质浓度低的一侧扩展。 ②单边突变结的空间电荷区宽度随低掺杂一边的杂质浓度的增加而下降，而且内建电势差主要分配在这一区域 由上述公式可知： 当施加外电压时，可推广为： 反向偏置下的PN结变化： 外加偏压VR几乎全部降落在势垒区 外电场与内建电场方向相同，势垒区电场增强，空间电荷增加，势垒区变厚，势垒高度增高 载流子的漂移电流大于扩散电流，各区势垒边界处少数载流子被抽取 ①势垒区变化 ②载流子运动的变化 P p` p n` n N E内 E外 7.3 PN结反偏特性 反向偏置下的能带图： 0 -xp xn P N Pn结的不具有统一的费米能级，pn结处于非热平衡态 pn结外加反偏电压与空间电荷区宽度表达式如下： 随着反偏电压的增加，空间电荷区宽度增加，空间电荷区的电荷量也随之增加。类似电容的充放电效果，因而反偏pn结也表现为一个电容的特性 随反偏电压的增加，冶金界面处电场增加，反偏时可能出现击穿 pn结外加反偏电压与电场强度表达式如下： 该电容为微分电容与直流偏压有关，PN结的直流偏压不同，微分电容也不同。势垒电容为可变电容 势垒电容的定义： 其中，变化的电荷数量为增加（或减少）的空间电荷区宽度内的电荷数量，因而其值为: 而空间电荷区宽度与反偏电压的关系