半导体照明技术：第九章铟镓氮发光二极管讲述.ppt

第九章 铟镓氮发光二极管 MOCVD: Basic MOCVD: Basic 9.1 GaN生长 GaN有好的热稳定性和化学稳定性，在加热和光照时能缓慢溶解于强碱中。 GaN及其三元化合物晶体的稳定结构为具有六方对称性的纤锌矿结构，立方对称性的闪锌矿结构是亚稳相，高压下为NaCl结构。 9.1 GaN生长 1969年，美国无线电公司的Maruska用气相外延的方法在蓝宝石衬底上首次生长出单晶GaN。 Pankove等人在1971年MIS结构的绿光和蓝光发光器件。 Maruska首次采用Mg掺杂以制作P型GaN，得到的MIS结构是辐射在430nm的紫色LED 赤崎勇（Akasaki）1989年使用AlN 缓冲层和低能电子辐照技术制造了第一 个PN结GaN基LED。 9.1.1 未掺杂GaN 通常在1000℃左右用MOCVD方法在（0001）晶向的蓝宝石衬底上生长GaN薄膜，晶格失配为17% 未掺杂的GaN通常是n型导电性，施主主要是缺陷或残留杂质，如氮空位和残留氧。 目前流行的方法是用低温的GaN作为缓冲层。氢气氛中加热到1050度，降温到500度左右生长GaN缓冲层，然后升温到1050度生长GaN薄膜。 9.1.1 未掺杂GaN 9.1.2 n型GaN 常使用SiH4作为n型掺杂剂，电子的浓度随SiH4的流速线性改变。一般掺杂浓度在1017~1018cm-3最佳。 9.1.3 p型GaN 在NH3作为N源的GaN生长过程中，会出现氢化过程，形成Mg-H络合物。在N2气氛下热退火p型GaN薄膜内能从受主H中性络合物中移除H原子，降低电阻率，光致发光谱的蓝光发射增强。 9.1.4 GaN p-n结LED 硅是n型掺杂剂，镁是p型掺杂剂，生长之后热退火形成低阻p型GaN层 赤崎勇的GaN基p-n同质结LED在1992年外量子效率达到1%。 9.2.1 未掺InGaN 未掺InGaN：通过改变In的摩尔分数，InGaN带隙在1.95~3.4eV，可作为蓝光发射和绿光发射的有源层，制成双异质结。 以高的In源流速和高的生长温度（780~850℃），可在GaN薄膜上生长高质量的InGaN单晶薄膜。 InGaN的带隙宽度与In的摩尔分数x符合抛物线规律： Eg（x）=xEgInN+（1-x）EgGaN-bx（1-x） Eg（x）是InxGa1-xN的带隙宽度，EgInN和EgGaN是InN和GaN的带隙宽度，b是弯曲参数（1.00eV） 9.2.2 掺杂InGaN 在GaN上可生长高质量的掺Si InGaN薄膜，生长温度830℃，在400nm处有很强和很尖锐的紫外发射（掺硅InGaN 的带边发射），没有深能级发射。 Si和Zn共掺杂到InGaN薄膜，可得到460nm处的蓝光发射。Zn掺杂在InGaN中形成深能级。 合适的Si和Zn的掺杂，能使InGaN的辐射增加 9.3.1 InGaN/GaN 双异质 LED 1993年中村修二用双气流MOCVD首次制成InGaN/GaN 双异质结，衬底为（0001）晶向蓝宝石。 P型GaN层蒸发Au电极，n型GaN层蒸发Al电极，峰值波长440nm。20mA以下外量子效率为0.22%。随后几年，蓝光LED获得了10%的效率 结构图如下： 题外话：中村修二与日亚 中村修二-Nichia(日亚化学) 前身是生产荧光灯、显示器所用的荧光粉，年收入仅20亿日元(约2000万美元)，不到200人的小公司，在酒井士郎(德岛大学教授)的建议下，日亚开始搞氮化物。蓝光、白光LED的发明，使日亚成为世界知名的LED领导企业。从1994~2010，日亚可以从中获得大约1兆 2，086 亿日元 ( 约合109.87 亿美元 )的销售收入 。另外，其它公司从日亚公司获得专利使用许可之后，销售额至少达到日亚的一半，日亚公司能从中得到 20% 的专利使用许可费计 1，208 亿日圆 ( 约合10.98 亿美元 ) 。好斗的日亚，不断挑起诉讼，以获得知名度。 “奴隶的战争” 中村的研究一度被日亚终止，中村的执著使得发明得以完成(191件专利，尚有未公开部分) 。中村修二为日亚化学获得了近2000亿日元受益，尚不包括将来的和向其它公司专利授权的收入。日亚化学仅仅支付2万日元的奖励(年薪100万美元)，中村还被调离研发一线，被同行成为“中村奴隶”。1999年中村离开公司，日亚试图以6000万日元买断中村的发明，并状告中村泄密，谈判持续5年，2005年和解，赔偿金额从600亿降到8.4亿日元(约为6700万元 )，过程曲折，被称为“奴隶的战争” 题外话：中村修二与日亚 由于在蓝光LED方面的杰出成就，中村教授获得了一系列荣誉，包括仁科纪念奖（1996），IEEE Jack A.莫顿奖，英国顶级科