仪器分析讲义-荧光光谱仪精要.ppt

基本理论简介 仪器构造及工作原理 应用领域 应用举例 荧光光谱分析 基本理论 发光(luminescence)的产生 荧光光谱分析 发光(luminescence)的分类 发光物质可以被多种形式的能量激发，依据激发源的不同，可分为： 光致发光（Photoluminescence)－ 电磁辐射（通常为紫外光）激发 阴极射线发光（Cathodoluminescence)－ 高能电子束激发（10－30KV) 场致发光（Field emission display)－低能电子束激发（0.50－10KV) 电致发光（Electroluminescence)－ 电压激发（10－几百伏） X－射线发光（X-ray luminescence）－X-射线激发 摩擦发光（Triboluminescence)－ 机械能激发 化学发光（Chemiluminescence）－化学反应的能量激发 荧光光谱分析 荧光光谱分析 荧光光谱分析 荧光光谱分析 荧光光谱分析 荧光光谱分析 荧光光谱分析 NaYF4:Yb,Er 谢谢！ 激发光谱（Excitation spectrum) 激发光谱：指发光的某一谱线或谱带的强度随着激发光波长（或频率）的变化。激发光谱反映的是不同波长的光对材料的激发效果，用哪些波长的光激发有效，用哪些波长的光激发无效或效率低。 测试方法：固定发射波长（ ?em=固定值X nm），在比X nm低的一定波长范围内进行激发扫描. 在激发光谱中X/2 nm, X/3 nm等处会出现光源的倍频峰，需滤掉。 发射光谱（Emission spectrum) 发射光谱（亦称发光光谱）：指发光的能量按照波长或频率的分布情况，根据发光中心性质的不同可以是带状或线状谱，它决定了发光颜色。 测试方法：固定激发波长（ ?ex=固定值X nm），在比X nm高的一定波长范围内进行发射扫描. 在发射光谱中2X nm, 3X nm等处会出现光源的倍频峰，需选择合适的滤光片滤掉。 荧光光谱仪 荧光光谱仪 应用 1）定性分析 2）定量分析 3）光催化材料荧光分析 4）发光材料发光性能分析 应用举例 李敏，王振领等，无机材料学报，2003，18，1261 图 6 CeF3 (a), CeF3:Tb3+ (b) 及CeF3:Tb3+/LaF3 (核/壳) (c) 纳米粒子溶液在紫外灯下的发光照片（254 nm）. Wang Zhenling等，Chem. Mater.，2006，18，2030-2037. 图 7 CeF3纳米粒子溶液的激发(a)、发射(b)和UV/vis吸收(c)光谱. 发射光谱： 峰值位于 327 nm 处的宽带归属于 Ce3+ 的 5d-4f 跃迁。 激发光谱：由250 nm处的强峰和几个肩峰组成, 这是由于 Ce3+ 的基态 2F5/2 向激发态 5d 的不同能级间的跃迁造成的。 UV/vis 吸收光谱基本与其激发光谱一致。 图 9 乙醇溶液中Ce0.85Tb0.15F3 纳米粒子的激发(a), 发射(b)及吸收(c)光谱. 激发光谱、吸收光谱：与 CeF3 纳米粒子的基本一致。 发射光谱： 300- 400nm 的弱峰属于Ce3+ 的发射； 450-650 nm 的强峰归属于 Tb3+ 的发射 (5D4 - 7FJ , J=6-3) 。 LaF3 体系 Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 141106. J. Rare Earth，2009, 27, 33-37. Diameter: 750 nm thickness: 300 nm NaGdF4:Yb3+,Er3+亚微米圆盘 亚微米圆盘 Wang Zhenling等 Small, 2012 张丹、---崔琼琼等 图 4 300 oC下煅烧CeF3: Tb3+后得到样品的激发光谱(a)和发射光谱(b) 石文杰、---杨向超等 王振领 2013. 03. 31 荧光光谱分析 HEAT （无发射跃迁） A 激发 发射 A A* R 具有这种发光行为的物质称为发光物质，亦称为荧光体、磷光体或发光体－Luminophor或Phosphor