半导体器件原理试题.ppt

* * 集成电路工艺结构 P-sub N+ N－well P+ VSS VDD P+ N+ RS1 RS2 RW2 RW1 * 半导体器件原理 * * 提纲 半导体中的载流子及其运动 P-N结的特性 MOS晶体管工作原理及特性 MOS 晶体管电路基本结构单元及特性 硅平面工艺简介（E/D NMOS工艺结构介绍） * * 半导体中的载流子及其运动 硅单晶 正四面体，金刚石结构，晶体的性质与晶向有关，表面的性质与晶面有关 硅原子最小距离：0.235nm 晶格常数：0.543089nm * * 半导体中的载流子及分布 半导体的电阻率介于导体和绝缘体之间 导体：ρ＜10-4Ωcm 绝缘体： ρ＞1010Ωcm 半导体： 10 -4 ＜ρ＜1010Ωcm 导电能力的决定因素 σ＝1/ρ＝nqμ n:载流子的浓度， 决定因素 q:载流子的电荷 μ:载流子的迁移率 （相差不大） * * 半导体中的载流子及分布 硅单晶导电性能 硅原子四个价电子，与周围四个原子各出一个电子形成共价键→每个原子周围八个电子→共价键晶体 热激发→价带电子跃迁到导带→载流子→晶体具有导电性 电子 空穴 Ec Ev 导带 价带 禁带宽度， Eg Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si * * 半导体中的载流子及分布 本征半导体中载流子及分布 电子空穴浓度相等 ni=n0=p0 =(NvNc)1/2 exp(-Eg/2kT) 常温下，硅半导体ni=1.5×1010cm-3 ρ＝2.3×105Ωcm 不能满足要求，需掺杂 施主、受主杂质 施主杂质，可给出一个电子→P,As 受主杂质，可接受一个电子→B 掺有施主杂质的半导体称为n型半导体， 掺有受主杂质的半导体称为p型半导体 * * 半导体中的载流子及分布 N、P型半导体杂质能级 N型半导体 P型半导体 ΔED=EC-ED ΔEA=EA-EV EC Ev ED Ei EFn EC Ev EA Ei EFp * * 半导体中的载流子及分布 载流子分布 ND大，EF 靠近EC，导带有较多的电子，价带基本填满，空穴很少。 NA大，EF越靠近EV，价带空穴多，很少有电子能跃入导带。 热平衡情况下 np＝ni2 f(E) EF E 0.5 1 * * 载流子在电场中的运动 载流子运动 热运动，无规则 电场下的漂移，散射，再加速的过程，平均速度为两次散射之间由电场加速所获得的定向速度。 迁移率 单位电场强度下载流子的漂移速度 影响因素： 有效质量、温度（散射）、杂质散射、 表面散射 * * 载流子在电场中的运动 非平衡载流子 产生原因 光照、热、电等 ，Δn＝n－n0 主要影响少数载流子 少子复合 多余载流子通过电子空穴复合趋于平衡（直接，间接，表面复合） 扩散 扩散长度 L=（Dτ）1/2 τ:少子寿命 D:扩散系数 EFN EV EC Δn Δp hν 光照产生非平衡少子 * * PN结特性 PN结形成 电子空穴浓度的巨大差异→扩散→留下离化施主和受主→形成空间电荷区→建立电场阻碍扩散→扩散与漂移达到平衡→统一的费米能级 EFn EC EV EC EV EFP PN结能带图 PN结空间电荷区 EF -qΦB N+ P ++++ --------- 内建电场 漂移电流 扩散电流 xdn xdp * * PN结中载流子的分布 空间电荷区内载流子浓度比起n、p区的多子浓度要小的多，好像耗尽了一样，故又称为耗尽区，可以认为载流子浓度很小，可以忽略，空间电荷区电荷密度等于离化施主/受主密度。 PN结内（热平衡）处处有 np＝ni2 n、p x xdn xdp nn0 pn0 np0 pp0 热平衡时PN结内载流子分布 N P * * 耗尽区 势垒高度 等于半导体费米能级的差 -qΦB＝EFN-EFP 用载流子浓度表示为： -qΦB＝kTln（NA·ND/ni2） 可见，势垒高度与掺杂浓度和温度有关。 对于常温的硅材料；通常在0.6～0.8 eV 势垒宽度 对于N+P的单边突变结，NDNA 电中性条件，xdn·ND=xdp·NA → xdp xdn xd＝ xdp ＋ xdn≈ xdp＝(2εsε0qNAΦB)1/2 势垒区电荷 QB=qNAxdp P N+ ++++ --------- xdn xdp E x x V ΦB * * PN结特性 外加电场为零时 漂移和扩散相抵消，流过PN结的净电流为零。 加正向电压 P加正，n加负，外加电场与内建电场方向相反，漂移减弱，扩散占优，空穴由p区注入到n区，电子由n区注入到p区→多子扩散。 npni2 正向电流Jn