半导体二极管和三极管机自06级08年3月7日更新.pptVIP

.. 14.1 半导体的导电特性 本征半导体 (a) five noninteracting silicon atoms, each with four valence electrons, (b) the tetrahedral configuration(四面体结构） 14.1.2 杂质半导体(Extrinsic Semiconductors) 注意事项 术语Terminology .. I / mA 硅管的伏安特性 2、二极管的伏安特性 i-v characteristics 正向特性 反向击 穿特性 600 400 200 – 0.1 – 0.2 0 0.4 0.8 –50 –100 U / V 反向特性 死区电压 I / mA U / V 0.4 0.8 – 40 – 80 2 4 6 –0.1 –0.2 锗管的伏安特性 正向特性 反向特性 0 死区电压 + U – I U=f（I） 在反向电压不超过某一范围时，反向电流的大小基本恒定，与反向电压的高低无关，通常称为反向饱和电流 .. 600 400 200 – 0.1 – 0.2 0 0.4 0.8 –50 –100 I / mA U / V 正向特性 反向击 穿特性 硅管的伏安特性 反向特性 死区电压 正向特性：二极管加正向电压 正极 负极 + – 反向特性：二极管加反向电压 正极 负极 + – 对于理想二极管 锗 管 正向压降0.2--0.3V 硅 管 正向压降0.6--0.8V .. 3、二极管的主要参数 最大整流电流IOM （点接触型几十mA，2CZ52A二极管100mA） 2. 反向工作峰值电压URWM 3. 反向峰值电流IRM （硅管反向电流小几微安，锗管反向电流大） 例1：下图中，已知VA=3V， VB=0V， DA 、DB为锗管， 求输出端Y的电位并说明二极管的作用。 解： DA优先导通，则 VY=3–0.3=2.7V DA导通后, DB因反偏而截止, 起隔离作用, DA起钳位作用, 将Y端的电位钳制在+2.7V。 DA –12V Y A B DB R + 0.3V– .. D E 3V R ui uo uR uD 例2：下图是二极管限幅电路，D为理想二极管，ui = 6 sin? t V, E= 3V,试画出 uo波形 。 ? t ? t ui / V uo /V 6 3 3 0 0 ? 2? ? 2? –6 uR？ .. ? t 6 3 0 ? 2? 例3：双向限幅电路 ? t 0 3 –3 D1 E 3V R D2 E 3V ui uo uR uD ui / V uo /V –3 .. 例 14.3.1 由下图（a）中的R和C构成一微分电路。当输入电压uI如图（b）所示时，试画出输出电压uO的波形。设Uc（0）= 0 （a） （b） .. Figure 1.3 The diode rectifier: (a) circuit, (b) sinusoidal input signal, (c) equivalent circuit for vI 0, (d) equivalent circuit for vI 0, and (e) rectified output signal .. Figure 1.4 Single-diode clipper: (a) circuit and (b) output response .. 14.4 稳压管 Zener Diode IF UF 0 正向特性 反向击穿区 UZ Imin IZmax DZ 正极 负极 符号 i-v characteristics 稳压管是一种特殊的 面接触型半导体二极管。 工作在反向击穿区 .. 稳压管的主要参数 1. 稳定电压 UZ 2. 最小稳定电流 Imin 3. 最大稳定电流 IZmax 4. 动态电阻 rZ rZ = ? IZ ?UZ 5. 电压温度系数 ?U 6. 最大允许耗散功率PM 0 ?IZ ?UZ IF UF Imin IZmax UZ 工作在反向击穿区：电流变化大，电压几乎不变 Note: The incremental resistance（增量电阻） is small. Typically, is in the range of a few ohms or tens of ohms. .. 0 ?IZ ?UZ IF UF Imin IZmax UZ .. 例题：已知ui = 10 sin?