低频电子线路PPT精要.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 转移特性曲线 输出特性曲线 * PMOS管 特点: 导电载流子为空穴 uGS (uDS )电压极性及iD电流流 向与NMOS管相反 绝缘栅场效应管 FET管特性汇总表P40 * 直流参数: 饱和漏极电流IDSS : uGS=0时的iD 值 夹断电压UGS(off) : iD ?0时的uGS值 开启电压UGS(th) : 增强型管刚开始导 电时的uGS值 直流输入电阻RGS: RGS = UGS / IG 场效应管参数及特点 参数 耗尽管参数 增强管参数 * 跨导 场效应管参数及特点:续 交流参数: 增强型 耗尽型 背栅跨导 跨导比 * 交流参数: 输出电阻 场效应管参数及特点:续 极间电容 Cgs Cgd Cds ( Cbs Cbd Cbg ) * 场效应管参数及特点:续 极限参数： 栅源击穿电压 UBR(GS) 漏源击穿电压 UBR(DS) 最大功耗 PDM : 参数的温度特性： 在特定电流电压下，管子参数的温度系数可以为零 耗尽型 增强型 * 导电方式 载流子 运动方式 控制方式 输入电阻 漂移 扩散 漂移 压控 流控 高 低 场效应管参数及特点 特点 多子 单极型 多子少子 双极型 FET BJT * 场效应管参数及特点:续 特点 FET BJT 噪声 小 大 抗辐射力 强 弱 热稳定性 好 差 * 第1章要点 了解有关半导体的基本概念 理解PN结的特性 理解半导体器件的特性曲线、参数及温度特性 掌握半导体器件的有关公式及电流关系 掌握二极管、稳压管电路的分析 * 作业 1-3 (1-3) 1-5 (1-5) 1-6 (1-6) 1-7(a)(d)(f) (1-7) (a)(d)(f) 1-12 (1-12) 1-15 (1-15) 1-16 (1-16) 注：红字对应新版教材 * 答疑安排 周次 时间 地点 原志强 3，8，13，17 每周三晚上6：40-8：50；五一后为7：10-9：20 C楼1楼休息室 刘雪芳 4，9 同上 C楼1楼休息室 吴炜 5，10，14， 同上 C楼1楼休息室 陈健 刘向丽 6，11，15，18 同上 C楼1楼休息室 傅丰林杨清海 7，12，16 同上 C楼1楼休息室 第19周期后考试，安排统一答疑 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 1.4.5 晶体三极管主要参数:续 晶体管参数的温度特性 UBEO T ?1度则UBEO ?(2?2.5)mV ICBO T ?10度则ICBO ?约1倍 ? T ?1度则? ?(0.5?1)% * 1.5 场效应晶体管 * FET JFET IGFET 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 N沟道 P沟道 P沟道 场效应晶体管的分类 * 结型场效应管JFET 结构与符号 N-JFET P-JFET * 结型场效应管JFET 工作原理（N-JFET管为例） 导电沟道： 漏极到源极的导电通道 受控机理： 漏极电流iD 受控于uGS * 结型管JFET :工作原理续 工作原理------uGS 控制iD (uDS =C?0) ? uGS ??? UDD UGG d g s iD ?? iD ?? 夹断 uGS = UGS(off) UDD UGG d g s iD ?0 初始沟道 UGG d g s iD ? UDD iD? ?uGS ?? ? uGS ???? UDD UGG d g s iD =0 iD = 0 预夹断 uGD = UGS(off) * 结型管JFET :工作原理续 工作原理----- uDS 影响 iD (uGS =C?0) UGG d g s iD 0 UDD iD ? uDS ? uDS ?? uDS ??? UDD UGG d g s iD ? 0 iD=C?0 初始沟道 UDD UGG d g s iD =