纳米ZnO的可控制备和特性研究.pdfVIP

2006第五届中田(国际)纳米科技西安研讨舍论文集 Preeeediags 2006 of严N_蛳nal(I曲釉a嘲n曲Nanoscleuce＆Technology,Xi’·n 纳米ZnO的可控制备和特性研究 叶志镇，孙磊，王刚 (浙江大学纳米科学与技术中心，’硅材料国家重点实验室，浙江，杭州，310027) 0引言 紫外半导体激光器的理想半导体材料，而且ZnO还具有无毒、热稳定性好、抗辐射性能高、原料丰富、制备成本低 廉、拥有完备的带隙宽度调节合金体系等优点，受到了人们广泛的关注。纳米ZnO材料由于其具有与体材料不同的 光学和电学特性，展示出诱人的应用前景。 1 ZnO纳米结构 我们采用MOCVD方法和热蒸发法生长了各种形状的ZnO材料，如纳米线、纳米管、四角锥状、辐射状、脊骨 状、球状、花状、梳状和棒状等，并对其特性进行研究。 1．1 ZnO纳米线 ZnO纳米线是晟常见的一种ZnO纳米结构材料。但它可控的生长一直是人们研究的重点和难点。我们首先在无 催化的条件下实现了ZnO纳米线的尖端形状和大小尺寸的可控生长，并且制备出的ZnO纳米线具有比较优越的场发 段式ZnO纳米线a该ZnO纳米线阵列排列高度整齐，并且每段纳米线的高度可以通过改变生长时间加以控制。室温 阵列的场发射性能明显优于普通ZnO纳米线，最高的场发射增强因子达到4000，最低的开启电场强度约为1．5 V／ttm， 其场发射性能优于当时国际上文献报导的值，为ZnO在场发射阴极材料方面的实际应用奠定了基础。 ’ 1．2 ZnO纳米臂 ZnO纳米管的尺寸、取向和晶体质量都做到了可控。PL图谱表明，ZnO纳米管具有很好的光致发光特性，出现了一 个报强的带边发光峰和一个比较微弱的绿光波段发光峰。基于其管状结构，ZnO纳米管不仅在光电子领域有凫好的应 用前景，而且在纳米生物医学领域具有特殊的应用前景。 (No等多个项目。 ·13· 2006第五届中胃(嗣际)抽米辨技西安研讨畚论文集 暑|置嗣i—|一I——■——■●——■■—■——●■■■■———■——————————■■■———■—■■●●■■皇■——■——皇—■——i■■■■—●■_ 1．3球状ZaO蚺米结构 多孔或中空的ZnO结构有着特殊的意义，它们的密度较低，比表面积大。我们采用固体源化学气相沉积的方法 首次在不使用催化剂的条件下制备出空心多孔球，这些ZnO纳米球均为单晶结构。这种独特的几何形貌在国际上鲜 有报道．在过滤器或功能复台材料模板等方面有着潜在的应用。 1．4花形ZnO纳米结构 花形的ZnO纳米结构虽然已经有所报道，但是不可避免地使用了有毒的、危险的和昂贵的原材料，简单快速的 方法依然十分困难。我们采用固体源化学气相沉积的方法不使用催化剂快速地合成了花彤ZnO纳米结构。该结构缺 陷较少，纯度较高．PL谱显示其具有良好的光学性能。这种复杂的ZnO结构对实现先进的电子和光电子器件有着重 要的意义。 1．5 ZnO纳米网络 ZnO纳米网络是ZnO纳米结构中比较罕见的一种。我们采用高低温两步法结合MOCVD技术，首次在硅村底上 成功制备了准三维的ZnO纳米网络结构材料，是纳米材料能够走向电子和光电子应用的关键。在硅片上制备ZnO纳 米网络具有实际意义，因为这将纳米技术和成熟的硅技术结合起来，为将来的实际应用奠定了基础。ZnO纳米网络是 由ZnO纳米墙和纳米线交织在一起共同组成。纳米墙是垂直于衬底沿着c轴方向生长的；纳米线是从纳米墙和晶粒 的项端、多片纳米墙的联结点生长出来的。PL测试显示了在3．27eV处有很强的紫外发光峰。 1．6 ZltO基合金纳米结构材料