微机原理与应用终稿.pptVIP

第3章 存储器 EPROM有4种工作方式：读、编程、校验和禁止编程，见表3-1。 表3-1 2764工作方式 第3章 存储器 在读方式下，VPP接+5V，从地址线A12～A0输入所选单元的地址，和端为低电平时，数据线上出现所寻址单元的数据。注意芯片允许信号必须在地址稳定后有效。 在编程方式下，VPP接+12V，从A12～A0端输入要编程单元的地址，在D7～D0端输入编程数据。在端加上编程脉冲（宽度为50ms的TTL高电平脉冲），即可实现写入。注意，必须在地址和数据稳定后，才能加上编程脉冲。 校验方式总是和编程方式配合使用，每次写入1个字节数据后，紧接着将写入的数据读出，检查已写入的信息是否正确。 禁止编程方式下，禁止将数据线上的内容写入EPROM。 第3章 存储器 3.3.4电可擦除编程ROM（E2PROM） 紫外光擦除EPROM，在使用时，须从电路板上拔下，在专用紫外线擦除器中擦除，另外，EPROM可被擦除后重写的次数也是有限的，一块芯片往往使用时间不太长。 E2PROM则是一种不用从电路板上拔下，而在线直接用电信号进行擦除的EPROM芯片。它可在加电情况下擦除存储器的全部或某一部分内容，然后在电路上直接改写其擦除过的单元内容。E2PROM的内部电路与EPROM电路类似，但其FAMOS中的结构进行了一些调整，在浮栅上增加了一个遂道二极管，在编程时可以使电荷通过它流向浮栅，而擦除时可使电荷通过它流向漏极，它不需要紫外光激发放电，即擦除和编程只须加电就可以完成了，且写入的电流很小。对其进行的编程也是操作，因此它的必定步骤简单，其他性能与EPROM类似。 第3章 存储器 3.3.5闪速存储器 闪速存储器（Flash Memory）是一种新型半导体存储器，由于它具有非易失性、电擦除性和低成本特点，所以对于需要实施代码或数据更新的嵌入性应用是一种理想的存储器，而它在固有性能和成本方面也有较明显优势。 Intel公司的ETOX（EPROM沟通氧化物）闪速存储器是以单晶体EPROM单元为基础的。因此，它具有非易失性，在断电时也能保留存储内容，这使它优于需要持续供电来存储信息的易失性存储器，如动态RAM。闪速存储器的单元结构和具有的EPROM基本特性使其的制造特别经济，在密度增加时保持可测性，并具有可靠性，这几方面综合起来的优势是目前其他半导体存储器技术所无法比拟的。 与EPROM只能通过紫外线照射实施擦除的特点不同，闪速存储器可实现大规模电擦除。闪速存储器的擦除功能可迅速地清除整个器件中的所有内容，这一点优于传统的可修改字串的E2PROM。Intel的ETOX处理制造出的器件可重复使用，可被擦除和重新编程几十万次而不会失效。 第3章 存储器 1．28F256A―256K（32K×8）CMOS闪速存储器 Intel公司的28F256A CMOS闪速存储器是一种经济、可靠的读／写随机存取非易失存储器。28F256A在原有的EPROM技术上增加了电擦除和重新编程功能。存储器内容在下列情况下均可被重新写入：在测试管座上；在PROM编程器插口；在局部装配后的测试电路板上；终测时在系统内部；售后在系统内部。28F256A提高了存储灵活性，并节省了时间和费用。 在Intel的ETOX处理工艺中特别进行了扩展擦除和编程徨能力的设计。通过先进的氧化物处理、最优的沟道贯穿结构以及弱电场的综合运用实现了优于传统EPROM的可重复使用能力。在VPP达到12V时，28F256A至少能够在快速脉冲编程和快速擦除算法的时限范围内完成10000次的擦除和编程循环。 第3章 存储器 28F256A的主要电气特性为： （1）快速电擦除：整片擦除时间的典型值为1s。 （2）快速脉冲编程算法：10μs标准字节编程；0.5s 编程。 （3）编程电压：12V±5％VPP。 （4）高性能读操作：120ns最长访问时间。 （5）CMOS低功耗：10mA标准有功电流；50μA标准等待电流；OW数据保持功能。 （6）ETOX闪速非易失工艺：EPROM兼容工艺基础，批量生产。 第3章 存储器 2．闪速存储器的应用及主要特点 闪速存储器展示出了一种全新的个人计算机存储器技术。作为一种高密度、非易失的读写半导体技术，它特点适合作固态磁盘驱动器；或以低成本和高可靠性替代电池支持的静态RAM。由于便携式系统既要求低功耗、小尺寸和耐久性，又要保持高性能和功能的完整，该技术的固有优势就十分。它突破了传统的存储器体系，改善了现有存储器的特性。 第3章 存储器 闪速存储器的主要特点为： （1）固有的非易失性。它不同于静态RAM，不需要备用电池来确保数据存留，也不需要磁盘作为动