晶硅太阳能电池工艺 硅 (Si) silicon Si Basic Parameters硅的基本参数 硅材料的制备与选取 硅是地球外壳第二位最丰富的元素,提炼硅的原料是SiO2。在目前工业提炼工艺中,一般采用SiO2的结晶态,即石英砂在电弧炉中(如图3.1)用碳还原的方法治炼得反应方程为 CZ(直拉)法制备Si单晶 FZ(区熔)法制备Si单晶 SOG 降低太阳电池的成本决定于硅材料成本的降低。而硅材料成本的关键在于材料的制造方法。为了能与其它能源竞争,一般要和晶硅太阳电池的转换效率大于10%达到这一要求实际上并不需要使用半导体级硅。人们研制、生产太阳电池级硅(SOG-Si)。我们知道一些金属(Ta、Mo、Nb、Zr、W、Ti和V)只要很低的浓度就能降低电池的性能,而另一些杂质即便浓度超过1015/cm3仍不成问题,此浓度大约比半导体级硅的杂质浓度高100倍,这样就可以选用成本较低的工艺来生产纯度稍低的太阳电池级硅,而仍旧能制造性能比较好的电池。为了进一步降低电池成本,人们还在研究单晶硅。 硅料选用 1、导电类型: 从国内外硅太阳电池生产的情况来看,多数采用 P 型硅材料,这是基于 n+/p 型电池在空间的应用及其传统的生产历史。也由于该种材料易得。 2、电阻率: 由硅太阳电池的原理知道,在一定范围内,电池的开路电压随着硅基体电阻率的下降而增加,材料电阻率较低时,能得到较高的开
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