Vion等离子FIB系统.pdfVIP

产品数据 Vion? 等离子FIB 系统 高速、大面积横截面切割和材料移除 全新的 Vion PFIB 是首款采用等离子源技术的 FEI 产品。借助超过 1 微安的束电 流，它可以远高于基于液态金属离子源 (LMIS) 的FIB 的速度 (20X) 移除材料，液 态金属离子源通常最高可达几十纳安，同时依然可确保低束电流条件下卓越的研 磨精度和成像分辨率。速度提升 20 倍令其可以切割横截面并分析现已成为半导 体行业新产品开发主要驱动因素的重要新技术，例如三维封装使用的基于硅通孔 (TSV) 和堆叠技术。 创新的FIB 等离子源技术 Vion PFIB 使用的离子源技术完全不同于当前大部分基于 FIB 的系统 （镓 LMIS）。 FEI 研发的全新离子源和镜筒可确保实现高度精确的高速切割和铣削。此外，PFIB 可以选择性沉积带图案的导体和绝缘体。 高速铣削和精密控制的结合可确保该系统以多种方法应用于半导体装置的开发和 制造，如： 主要优点 ? 超过传统Ga-FIB 20倍的铣削速度，大幅提高 ?隆块、丝焊、TSV 和堆叠晶粒故障分析 生产力 ?精确移除材料，以确保在嵌入式晶粒上进行故障分析和故障隔离 ? 快速准确的横切面处理可迅速揭示缺陷和表 ?用于晶粒/封装级流程监控和开发 面下方特征 ?封装部件和MEMS 装置缺陷分析 ? 宽泛的铣削和成像束电流 （几pA 至1 μA 以上） Vion PFIB 还可广泛应用于材料科学和相关研究领域，该领域非常重视本地化的场 ? 使用沉积化学保护表面特征 地特定的Ga-FIB 横截面切割所带来的效益，但却因横截面太大而无法及时完成切 ? 可选的电荷中和器功能，实现在带电结构上 割和分析。PFIB 可迅速制备出直径数百微米的横截面，实现金属、符合材料和涂 切割横截面 料分析，同时无需使用人工制品诱导的机械抛光或类似的制备方法。 ? 可选的背面硅访问、专利同轴气体传输喷嘴 ? 与其他FEI FIB、SEM 和DualBeamsTM相同的硬 件和软件架构 产品数据 Vion? 等离子FIB 等离子 FIB 束尺寸进程续接于 Ga LMIS 束尺寸因球面像差影响而放大之处。 借助 Vion FIB 在 20 分钟内完成 80 μm 宽、100 μm 高之凹 凸横截面切割和成像图像提供：SEMATECH。 技术亮点 Vion 系统由大型真空室和聚焦离子束镜筒、电感耦合等离子 (ICP) 离子束构成。ICP 源可提供比传统镓基FIB高20-60 倍的束 电流，同时保持低束电流功能。此外，各种气体均可导入样 品室，改变束的相互作用，并导致沉积 （不论是绝缘体或导 体）。导入其他气体后可以选择性修改蚀刻率，以得出最佳 硅导体，反之亦然。总体而言，该系统使用其他 FEI FIB、SEM 和DualBeam? 系统应用的实地验证的组件构建。 技术规格 离子源